ISO7741DBQ高性能四通道數字隔離多主驅動 應用新型芯片設計
發布時間:2019/5/22 9:23:56 訪問次數:2518
描述
器件是高性能四通道數字隔離器
可提供符合 ul 1577 的 5000vrms（dw 封裝）
3000vrms（dbq 封裝）隔離額定值
該系列器件具有符合 vde、csa、tuv
cqc 標準的增強型隔離額定值。
在隔離 cmos 或 lvcmos 數字 i/o 時
器件可提供高電磁抗擾度和低輻射
并具備低功耗特性
每條隔離通道的邏輯輸入
輸出緩沖器均由二氧化硅 (sio2) 絕緣柵相隔離
該器件配有使能引腳
可用于將多主驅動 應用 中的相應輸出置于高阻抗狀態
也可用于降低功耗
具有四條全部同向的通道
器件具有三條正向通道和一條反向通道
而 iso7742 器件具有兩條正向通道和兩條反向通道
如果輸入功率或信號出現損失
不帶后綴 f 的器件默認輸出高電平
帶后綴 f 的器件默認輸出低電平
與隔離式電源結合使用時
該器件有助于防止數據總線或者其他電路中
噪聲電流進入本地接地端
進而干擾或損壞敏感電路
憑借創新型芯片設計和布局技術
iso7741dbq器件的電磁兼容性得到了顯著增強
可輕松滿足系統級 esd、eft、浪涌
輻射方面的合規性
系列器件采用 16 引腳 soic 和 qsop 封裝。
特性
信號傳輸速率：高達 100mbps
寬電源電壓范圍：2.25v 至 5.5v
2.25v 至 5.5v 電平轉換
默認輸出高電平 和低電平 選項
寬溫度范圍： 55°c 至 125°c
電流典型值為 1.5ma/通道（1mbps 時）
低傳播延遲：典型值為 10.7ns
（由 5v 電源供電）
高 cmti：±100kv/μs（典型值）
優異的電磁兼容性 (emc)
系統級 esd、eft 和浪涌抗擾性
低輻射
隔離柵壽命：> 40 年
寬體 soic (dw-16)
qsop (dbq-16) 封裝選項
安全相關認證：
din v vde v 0884-11:2017-01
ul 1577 組件認證計劃
csa 組件驗收通知 5a
iec 60950-1
iec 60601-1 終端設備標準
符合 gb4943.1-2011
cqc 認證
符合http://gll.51dzw.com/ en 60950-1
en 61010-1
tuv 認證
(素材來源：teaxslnstruments.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
描述
器件是高性能四通道數字隔離器
可提供符合 ul 1577 的 5000vrms（dw 封裝）
3000vrms（dbq 封裝）隔離額定值
該系列器件具有符合 vde、csa、tuv
cqc 標準的增強型隔離額定值。
在隔離 cmos 或 lvcmos 數字 i/o 時
器件可提供高電磁抗擾度和低輻射
并具備低功耗特性
每條隔離通道的邏輯輸入
輸出緩沖器均由二氧化硅 (sio2) 絕緣柵相隔離
該器件配有使能引腳
可用于將多主驅動 應用 中的相應輸出置于高阻抗狀態
也可用于降低功耗
具有四條全部同向的通道
器件具有三條正向通道和一條反向通道
而 iso7742 器件具有兩條正向通道和兩條反向通道
如果輸入功率或信號出現損失
不帶后綴 f 的器件默認輸出高電平
帶后綴 f 的器件默認輸出低電平
與隔離式電源結合使用時
該器件有助于防止數據總線或者其他電路中
噪聲電流進入本地接地端
進而干擾或損壞敏感電路
憑借創新型芯片設計和布局技術
iso7741dbq器件的電磁兼容性得到了顯著增強
可輕松滿足系統級 esd、eft、浪涌
輻射方面的合規性
系列器件采用 16 引腳 soic 和 qsop 封裝。
特性
信號傳輸速率：高達 100mbps
寬電源電壓范圍：2.25v 至 5.5v
2.25v 至 5.5v 電平轉換
默認輸出高電平 和低電平 選項
寬溫度范圍： 55°c 至 125°c
電流典型值為 1.5ma/通道（1mbps 時）
低傳播延遲：典型值為 10.7ns
（由 5v 電源供電）
高 cmti：±100kv/μs（典型值）
優異的電磁兼容性 (emc)
系統級 esd、eft 和浪涌抗擾性
低輻射
隔離柵壽命：> 40 年
寬體 soic (dw-16)
qsop (dbq-16) 封裝選項
安全相關認證：
din v vde v 0884-11:2017-01
ul 1577 組件認證計劃
csa 組件驗收通知 5a
iec 60950-1
iec 60601-1 終端設備標準
符合 gb4943.1-2011
cqc 認證
符合http://gll.51dzw.com/ en 60950-1
en 61010-1
tuv 認證
(素材來源：teaxslnstruments.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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