ADRF5300低電壓晶體管-晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容控制
發布時間:2019/8/29 16:12:29 訪問次數:21755
24 ghz 至 32 ghz 硅 spdt 反射開關
- 51電子網公益庫存:
- LM361N
- LM7805CT
- SN74LS132
- LM324
- TL082
- ULN2803A
- PTD08A210WAC
- ULN2803
- KBP210
- CNY17-1
- TL082CN
- UC3709
- CR6848T
- G3VM-61D1
- TC4420CPA
- G5V-1-12VDC
- G5LE-14-DC24V
- G5LA-14-12VDC
- G2R-2 12VDC
- LFU6831L
- FU6812
- FU6831N
- FU6831Q
- ULN2803
- KBP210
- CNY17-1
- TL082CN
- UC3709
- CR6848T
- G3VM-61D1
- G5V-1-12VDC
應用
工業掃描儀
測試儀器儀表
蜂窩基礎設施毫米波 5g
軍用無線電、雷達和電子對抗 (ecm)
微波無線電和甚小孔徑終端 (vsat)
功能:
反射式設計
低插入損耗:30 ghz 時為 1.1 db
高隔離:30 ghz 時為 38 db
高輸入線性度
0.1 db 功率壓縮 (p0.1db):37 dbm
3 階交調點 (ip3):52 dbm
高 rf 功率處理能力
平均值為 28 dbm
峰值為 36 dbm
特點:
單電源供電:3.3 v
內部負電壓發生器
rf 建立時間(0.1 db 最終 rf 輸出):65 ns
20 端子 3 mm × 3 mm 岸面柵格陣列封裝
引腳與 adrf5301 兼容:35 ghz 至 44 ghz
產品詳解:
是一款利用硅工藝制造的反射式單刀雙擲 (spdt) 開關。
adrf5300 專為 24 ghz 至 32 ghz 的 5g 應用而開發。
adrf5300 器件具有 1.1 db 的低插入損耗、
38 db 的高隔離以及 28 dbm 平均值
和 36 dbm 峰值射頻 (rf) 輸入功率處理能力。
adrf5300 包含一個負電壓發生器 (nvg),
由施加到 vdd 引腳的 3.3 v 單一正電源供電。
該器件采用互補金屬氧化物半導體 (cmos)
和低電壓晶體管-晶體管邏輯 (lvttl) 兼容控制。
adrf5300 的引腳與 adrf5301 兼容,
后者在 35 ghz 至 44 ghz 的頻率范圍內工作。
adrf5300
采用符合 rohs 標準的 20 端子
3 mm × 3 mm 岸面柵格陣列 (lga) 封裝,
并可在 −40°c 至 +105°c 的溫度范圍內工作。
24 ghz 至 32 ghz 硅 spdt 反射開關
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軍用無線電、雷達和電子對抗 (ecm)
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功能:
反射式設計
低插入損耗:30 ghz 時為 1.1 db
高隔離:30 ghz 時為 38 db
高輸入線性度
0.1 db 功率壓縮 (p0.1db):37 dbm
3 階交調點 (ip3):52 dbm
高 rf 功率處理能力
平均值為 28 dbm
峰值為 36 dbm
特點:
單電源供電:3.3 v
內部負電壓發生器
rf 建立時間(0.1 db 最終 rf 輸出):65 ns
20 端子 3 mm × 3 mm 岸面柵格陣列封裝
引腳與 adrf5301 兼容:35 ghz 至 44 ghz
產品詳解:
是一款利用硅工藝制造的反射式單刀雙擲 (spdt) 開關。
adrf5300 專為 24 ghz 至 32 ghz 的 5g 應用而開發。
adrf5300 器件具有 1.1 db 的低插入損耗、
38 db 的高隔離以及 28 dbm 平均值
和 36 dbm 峰值射頻 (rf) 輸入功率處理能力。
adrf5300 包含一個負電壓發生器 (nvg),
由施加到 vdd 引腳的 3.3 v 單一正電源供電。
該器件采用互補金屬氧化物半導體 (cmos)
和低電壓晶體管-晶體管邏輯 (lvttl) 兼容控制。
adrf5300 的引腳與 adrf5301 兼容,
后者在 35 ghz 至 44 ghz 的頻率范圍內工作。
adrf5300
采用符合 rohs 標準的 20 端子
3 mm × 3 mm 岸面柵格陣列 (lga) 封裝,
并可在 −40°c 至 +105°c 的溫度范圍內工作。
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