9p50594b在場效應管漏源電壓保持不變的情況下,從圖8-4中可以得出以下結論:柵源電壓ugs=0時,漏極電流d=dss。柵源電壓ugs向負值方向變化時,漏極電流id逐漸減小。柵源電壓ugs=up時,漏極電流jd=0。dss稱為飽和漏極電流,up稱為夾斷電壓。

輸出特性曲線 輸出特性曲線是表示在柵源電壓一定條件下,漏極電流與漏源電壓之間的關系,如圖8-5所示。電阻區、放大擊穿區、截止區。

由場效應管組成的放大電路中,場效應管必須工作在放大區,即必須采用合適的直流電流將其工作點(uds,rd)設置于輸出特性曲線的放大區或恒流區,且保持穩定。與三極管放大電路相類

似,場效應管放大電路有共源、共漏、共柵=種接法。

絕緣柵型場效應管，絕緣柵場效應管是一種柵極與源極、漏極之間有絕緣層的場效應管,簡稱mos管。絕緣柵場效應管也有n溝道型及p溝道型兩種結構形式。無論是n溝道型或p溝道型,都有增強型和耗盡型兩種。

n溝道增強型絕緣柵場效應管 以p型硅片作為襯底.其間擴散兩個高摻雜的n・區并引出兩個電極,作為源極s和漏級d。制作場效應管時先在半導體上制作sio2絕緣層,之后在sio2上制作

一層金屬鋁,引出電極作為柵極g,此時的p型半導體稱為襯底b。

n溝道增強型絕緣柵場效應管的結構及符號如圖8-6所示。

圖8-6 n溝道增強型絕緣柵場效應管的結構及符號場效應管可看作一個受柵源電壓控制的可當yds增劇增,出現電擊穿。如果對此不加限制,將損壞場效應管。不允許場效應管工作在這個區域恒流區場效應管在恒流區具有線性放大作用間的電流1d=0。

當lgs)0,在絕緣層和襯底之間表面形成一層耗盡層,但負離子不能導電。ugs=ut時,漏極和源極之間產生導電溝道。在漏、源極之間加正向電壓uds時,將會產生電流rd。

在uds>0時,有三種情況存在,其結果如下:若ugs(ut,耗盡層消失,無導電溝道,id為0;若ligs)ut,出現導電溝道,d、s之間有電流jd流過;若ugs逐漸增大,溝道加厚,溝道電阻減少,jd也隨之逐漸增大,即ugs控制d的變化。

n溝道耗盡型mos場效應管應管結構及符號如圖8-8所示。

圖8-8 n溝道耗盡型絕緣柵場效應管結構及符號當ugs=0時,uds加正向電壓,產生漏極電流id,此時的漏極電流稱為漏極飽和電流,用dss表示。

當ugs)0時,將使id進一步增加。當ligs(0時,隨著uds的減小漏極電流逐漸減小.直ii)==0。