MK1444-02S漏極電位結型場效應管
發布時間:2020/1/30 21:02:36 訪問次數:964
mk1444-02s與bjt放大電路比較,mosfet偏置電路有什么特點?
與bjt的共射、共集和共基電路相對應,mosfet有共源、共漏和共柵電路,試比較它們的異同點。
jfet是利用半導體內的電場效應進行工作的,也稱為體內場效應器件。
jfet的結構和工作原理,柵極金屬鋁漏極,氧化層結構示意圖,代表符號n溝道jfet,實際的n溝道jfet結構剖面圖
結型場效應管rjfet.
jfet的結構示意圖如圖5.3.1a和圖5.3.2a所示。
在圖5.3.1a中,是在n型導電溝道p+型襯底增大,如圖5.3.3a、b所示(由于n區摻雜濃度小于p+區,即Ⅳd(Ⅳa,p+區的耗盡層寬度較小,圖中只畫出了n區的耗盡層)。當|ugs|進一步增大到某一定值|yp|時,兩側耗盡層在中間合攏,溝道全部被夾斷,如圖5.3.3c所示。此時漏一源極間的電阻將趨于無窮大,相應的柵源電壓稱為夾斷電壓yp。
圖5.3.3 rds=0時,柵源電壓pcs改變對導電溝道的影響(a)pcs=0 (b)u/p<t)gs<0時 (c)vgs≤yp時,上述分析表明,改變v cs的大小,可以有效地控制溝道電阻的大小。若在漏源極間加上固定的正向電壓2j。s,則由漏極流向源極的電流jd將受vcs的控vcs增大時,溝道電阻增大,jd減小。
vds對id的影響為簡明起見,首先從vgs=0開始討論。
當tds=0時,溝道如圖5.3.3a所示,并有ud=0,這是容易理解的。
但隨著us的接人并逐漸增加,一方面溝道電場強度加大,有利于漏極電流jd增加;另一方面,有了vds,就在由源極經溝道到漏極組成的n型半導體區域中,產生了一個沿溝道的電位梯度。若源極為零電位,漏極電位結型場效應管rjfet耗盡層.
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
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jfet是利用半導體內的電場效應進行工作的,也稱為體內場效應器件。
jfet的結構和工作原理,柵極金屬鋁漏極,氧化層結構示意圖,代表符號n溝道jfet,實際的n溝道jfet結構剖面圖
結型場效應管rjfet.
jfet的結構示意圖如圖5.3.1a和圖5.3.2a所示。
在圖5.3.1a中,是在n型導電溝道p+型襯底增大,如圖5.3.3a、b所示(由于n區摻雜濃度小于p+區,即Ⅳd(Ⅳa,p+區的耗盡層寬度較小,圖中只畫出了n區的耗盡層)。當|ugs|進一步增大到某一定值|yp|時,兩側耗盡層在中間合攏,溝道全部被夾斷,如圖5.3.3c所示。此時漏一源極間的電阻將趨于無窮大,相應的柵源電壓稱為夾斷電壓yp。
圖5.3.3 rds=0時,柵源電壓pcs改變對導電溝道的影響(a)pcs=0 (b)u/p<t)gs<0時 (c)vgs≤yp時,上述分析表明,改變v cs的大小,可以有效地控制溝道電阻的大小。若在漏源極間加上固定的正向電壓2j。s,則由漏極流向源極的電流jd將受vcs的控vcs增大時,溝道電阻增大,jd減小。
vds對id的影響為簡明起見,首先從vgs=0開始討論。
當tds=0時,溝道如圖5.3.3a所示,并有ud=0,這是容易理解的。
但隨著us的接人并逐漸增加,一方面溝道電場強度加大,有利于漏極電流jd增加;另一方面,有了vds,就在由源極經溝道到漏極組成的n型半導體區域中,產生了一個沿溝道的電位梯度。若源極為零電位,漏極電位結型場效應管rjfet耗盡層.
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