導熱雙面膠等導熱
發布時間:2020/4/19 10:59:54 訪問次數:1075
sp3220ca-l散熱原理：電池工作時產生大量的熱，由導熱硅膠片將熱傳遞到水冷管上，水冷管再傳給冷卻液，水冷管里的液體在電池組內流動將熱帶走。
散熱原理：利用風扇主動散熱，由風扇供風，風朝電池流道吹去，將電池組內部熱帶走。因電池組內部溫度差未控制在5℃以內，將電池組上下均貼一塊導熱硅膠片，硅膠片再將溫度導向外面的鋁殼，整個電池模組溫度差控制在5℃以內，達到了電池組設計的要求，使電池組壽命更長，行車過程中性能更穩定。
散熱原理：電池組采用被動散熱，將電池組與鋁散熱板之間貼上一塊導熱硅膠片，硅膠片將溫度傳到鋁板上，鋁板再與空氣進行熱交換合肥傲琪公司主營：導熱硅膠片，導熱硅脂，合成石墨片、導熱雙面膠等導熱、散熱、絕緣、填充材料等。
使用mram進行寫操作都會立即保持至少20年的非易失性。沒有數據從易失性存儲單元傳輸到非易失性存儲單元，也沒有外部電容器或備用電池。消除了外部組件，高度可靠的數據保留以及35ns sram兼容的讀/寫訪問時間，使everspin mram成為替代cypress cy14b104na-ba / zs45xi nvsram的可行選擇，而不會影響系統性能。
everspin是商業上可行的mram技術的全球領導者，everspin mram產品出現在數百個需要高速，可靠，非易失性存儲器的應用中。
mr2a16a與cy14b104na的比較
everspin mram解決方案提供：
始終非易失。沒有不可靠的電容器相關備用周期
不需要vcap或vbatt
立即斷電（<1ns），無數據丟失
沒有復雜的軟件存儲/調用例程
快速啟動時間（2ms和20ms）
無限的讀寫周期-無磨損問題
20年數據保留，無循環依賴
更少的組件意味著更小的設計尺寸和更低的bom成本
直接替代賽普拉斯nv-sram
everspin mr2a16axys35（44-tsop2）和mr2a16axma35（fbga）存儲器的引腳，時序和封裝分別與cypress cy14b104na-zs和cy14b104naba nvsram兼容。
everspin mram和nvsram都具有標準的兼容異步sram時序。但是mram即使在斷電后無限制的時間和整個溫度循環中也可以保留數據。 mram具有35 ns的讀/寫周期時間，與類似的nvsram速度等級選項兼容。
深圳市永拓豐科技有限公司http://ytf02.51dzw.com/
(素材來源：eechina..如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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散熱原理：利用風扇主動散熱，由風扇供風，風朝電池流道吹去，將電池組內部熱帶走。因電池組內部溫度差未控制在5℃以內，將電池組上下均貼一塊導熱硅膠片，硅膠片再將溫度導向外面的鋁殼，整個電池模組溫度差控制在5℃以內，達到了電池組設計的要求，使電池組壽命更長，行車過程中性能更穩定。
散熱原理：電池組采用被動散熱，將電池組與鋁散熱板之間貼上一塊導熱硅膠片，硅膠片將溫度傳到鋁板上，鋁板再與空氣進行熱交換合肥傲琪公司主營：導熱硅膠片，導熱硅脂，合成石墨片、導熱雙面膠等導熱、散熱、絕緣、填充材料等。
使用mram進行寫操作都會立即保持至少20年的非易失性。沒有數據從易失性存儲單元傳輸到非易失性存儲單元，也沒有外部電容器或備用電池。消除了外部組件，高度可靠的數據保留以及35ns sram兼容的讀/寫訪問時間，使everspin mram成為替代cypress cy14b104na-ba / zs45xi nvsram的可行選擇，而不會影響系統性能。
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不需要vcap或vbatt
立即斷電（<1ns），無數據丟失
沒有復雜的軟件存儲/調用例程
快速啟動時間（2ms和20ms）
無限的讀寫周期-無磨損問題
20年數據保留，無循環依賴
更少的組件意味著更小的設計尺寸和更低的bom成本
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everspin mr2a16axys35（44-tsop2）和mr2a16axma35（fbga）存儲器的引腳，時序和封裝分別與cypress cy14b104na-zs和cy14b104naba nvsram兼容。
everspin mram和nvsram都具有標準的兼容異步sram時序。但是mram即使在斷電后無限制的時間和整個溫度循環中也可以保留數據。 mram具有35 ns的讀/寫周期時間，與類似的nvsram速度等級選項兼容。
深圳市永拓豐科技有限公司http://ytf02.51dzw.com/
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