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雙通道集成式射頻 (RF) 前端多芯片模塊正邏輯控制

發布時間:2020/6/11 15:10:42 訪問次數:2623

adrf5545a


雙通道 2.4 ghz 至 4.2 ghz 接收器前端


51電子網公益庫存:
SII9777CLUC
SNAA048AZCVR
STM32F103CBT6
STD2HNK60Z-1
T-626-KK81+
STM8S207RBT6CTR
APM9945KC-TRL
APM9948KC-TRL
AS3616A-AFCT-11
CM150DY-24NF
CC1101RTKR
CDCV304TPWREP
CC6207
CC6207DN
CC6207ST
ADUM5402WCRWZ-1RL
BAL-0009SMG
BAV99
BLF7G27LS-140
EMB17A03G
EQ6R200
CM2020-00TR
EJ60N10
F28M35H52C1RFPT
F3L200R12W2H3-B11
FJ10R12
FJ12P10
FJ50R2.4
FJ6P20
ET60P33
CT41-0603-50V-0.1渭F鹵10錛?X7R
F3L200R12W2H3-B11
ASM4554256T-5101F
BS412
EP4CE10F17C8N
FP25R12W2T4
CM8870PI
CY15B016Q-SXE
DTC143ZETL






















功能:

集成式雙通道 rf 前端

2 級 lna 和高功率 spdt 開關

片內偏置和匹配

單電源供電

增益

低噪聲指數

高隔離

105°c 時具有高功率處理能力

整個生命周期

lte 平均功率 (9 db par):40 dbm

單一事件(<10 秒運行)

lte 平均功率 (9 db par):43 dbm

高 oip3:32 dbm(典型值)

關斷模式和低增益模式(針對 lna)

低電源電流

正邏輯控制

6 mm × 6 mm

40 引腳

lfcsp 封裝

應用:

無線基礎設施

tdd 大規模多輸入

多輸出以及有源天線系統

基于 tdd 的通信系統

產品描述:

adrf5545a

是一款雙通道集成式射頻 (rf)

前端多芯片模塊









專為工作頻率為 2.4 ghz 至 4.2 ghz

時分雙工 (tdd) 應用而設計。

采用雙通道配置,

包含級聯兩級低噪聲放大器 (lna)

高功率硅單刀雙擲 (spdt) 開關。

在發射過程中,

當 rf 輸入連接到端電極引腳

(term-cha 或 term-chb)時,

該開關提供 0.65 db 的低插入損耗,

并在整個生命周期內處理 40 dbm

長期演進 (lte)

平均功率(9 db 峰值/平均值比 (par))

而在單一事件(<10 秒)

lna 保護模式下為 43 dbm。

(素材:analog.如涉版權請聯系刪除)


adrf5545a


雙通道 2.4 ghz 至 4.2 ghz 接收器前端


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AS3616A-AFCT-11
CM150DY-24NF
CC1101RTKR
CDCV304TPWREP
CC6207
CC6207DN
CC6207ST
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BAL-0009SMG
BAV99
BLF7G27LS-140
EMB17A03G
EQ6R200
CM2020-00TR
EJ60N10
F28M35H52C1RFPT
F3L200R12W2H3-B11
FJ10R12
FJ12P10
FJ50R2.4
FJ6P20
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CT41-0603-50V-0.1渭F鹵10錛?X7R
F3L200R12W2H3-B11
ASM4554256T-5101F
BS412
EP4CE10F17C8N
FP25R12W2T4
CM8870PI
CY15B016Q-SXE
DTC143ZETL






















功能:

集成式雙通道 rf 前端

2 級 lna 和高功率 spdt 開關

片內偏置和匹配

單電源供電

增益

低噪聲指數

高隔離

105°c 時具有高功率處理能力

整個生命周期

lte 平均功率 (9 db par):40 dbm

單一事件(<10 秒運行)

lte 平均功率 (9 db par):43 dbm

高 oip3:32 dbm(典型值)

關斷模式和低增益模式(針對 lna)

低電源電流

正邏輯控制

6 mm × 6 mm

40 引腳

lfcsp 封裝

應用:

無線基礎設施

tdd 大規模多輸入

多輸出以及有源天線系統

基于 tdd 的通信系統

產品描述:

adrf5545a

是一款雙通道集成式射頻 (rf)

前端多芯片模塊









專為工作頻率為 2.4 ghz 至 4.2 ghz

時分雙工 (tdd) 應用而設計。

采用雙通道配置,

包含級聯兩級低噪聲放大器 (lna)

高功率硅單刀雙擲 (spdt) 開關。

在發射過程中,

當 rf 輸入連接到端電極引腳

(term-cha 或 term-chb)時,

該開關提供 0.65 db 的低插入損耗,

并在整個生命周期內處理 40 dbm

長期演進 (lte)

平均功率(9 db 峰值/平均值比 (par))

而在單一事件(<10 秒)

lna 保護模式下為 43 dbm。

(素材:analog.如涉版權請聯系刪除)


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