新型數據中心的處理器芯片——power10，這款芯片由三星電子生產，采用7nm euv（極紫外光刻）工藝，其性能將是上一代的3倍。power系列是ibm面向企業級用戶推出的高性能處理器芯片，最早由ibm自己生產，然后交給格芯負責代工，后者是一家位于美國的半導體晶圓代工廠商，也是世界第三大晶圓代工廠，現在再交給三星電子。

ibm建立晶圓工廠的目的是為自家產品提供生產服務，幫市場代工不是主要考慮。由于英特爾的強勢競爭，ibm的處理器產品在市場逐漸邊緣化，導致ibm銷售的處理器數量很難填補工廠的龐大產能，這意味著制造均攤的成本大幅增加。半導體制造是個需要時刻保持更新的行業，生產工藝每數年升級一次，動輒耗資數十億美元，如果沒有大量出貨，那么很難負擔制造成本。

隨著制造成本增加，ibm逐漸減少對半導體制造部門的投資。根據gartner市調公司的調查數據顯示，ibm公司在半導體制造領域以10億美元的資本支出位列全球第11位；這一排名已跌出20名開外。

鎖存器將多路復用器與陣列解耦，從而減小位緩存行上的電容，進而降低每次sram存取的功耗。但更大的好處是，在讀操作之后，完整的256位輸出仍位于鎖存器中。如果隨后的讀操作訪問下一個遞增存儲器地址，那么可以從鎖存器中讀取該值，而根本無需驅動陣列。對于從很長的一系列順序地址讀取數據的程序，此設計只需在25%的時間內為sram陣列供電。考慮到包括多路復用器和鎖存器的整個電路，格芯估計：相對于標準編譯的sram，cnn工作負載的功耗可降低53%。由于時序約束變得寬松，新的sram也縮小了25%。

盡管mac單元的功耗僅占總功耗的一小部分，但其面積常常占總芯片面積的最大部分。新設計具有一個16x16位乘法器，與高端cpu所需的64位設計不同。基數為4的booth乘法器饋入一個48位加法器，以進行高精度累加。對于cnn推理中常見的8位整數(int8)數據，可以將mac單元拆分為每個周期產生兩個8x8乘法，并進行24位累加。格芯的目標工作頻率為1.0ghz，物理設計因而得以簡化，功耗和芯片面積得以減小。新的mac單元比之前的12lp單元小12%；在相同電壓下都以1.0ghz運行時，所需的功耗減少25%。

在典型的脈動mac陣列中，新的sram和mac設計使總功耗比之前的12lp技術降低了三分之一，而降低工作電壓又使總功耗降低了三分之一。

相對于其10nm節點，其7nm技術可使時鐘速度提高多達20%，功耗降低多達40%（參見mpr 5/20/19，“euv工藝實現量產”）。這些最佳情況下的數字都假定晶體管的負載很輕。復雜的處理器設計通常受限于金屬電容而不是晶體管速度，因此只能獲得上述好處的一半或更少。如前所述，nvidia的7nm a100比其12nm的前代產品要慢，而高通公司首款7nm處理器snapdragon 855的最大cpu速度僅比snapdragon 845提高了2%。臺積電預期5nm的收益將小于7nm，因為更多地使用euv會增加每片晶圓和流片的成本。

格芯的12lp+提供了一條替代路徑，與臺積電的7nm相比，功耗大幅降低，成本則沒有增加。功耗降低主要歸功于新的雙功函數晶體管，它支持0.55v電壓選項。臺積電的7nm技術提供超低vt (ulvt)晶體管，其工作電壓最低為0.6v。臺積電長期以來服務于智能手機客戶，專注于低壓操作，而格芯更側重于pc，直到最近才發生改變，因此其在這方面的進步在很大程度上是彌補差距。

與nvidia的新產品a100相比，groq tsp的性能更強勁（以每秒萬億次運算或tops衡量），而功耗卻更低。tenstorrent的性能目標較低，但功效（每瓦tops）是a100的三倍。