-30 v p溝道功率mosfet---sira99dp，10 v條件下導通電阻降至1.7 mw。

vishay siliconix trenchfet®第四代sira99dp導通電阻達到業內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm powerpak® so-8單體封裝，專門用來提高功率密度。

日前發布的mosfet導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。

sira99dp超低柵極電荷僅為84 nc，柵極電荷與導通電阻乘積，即開關應用中mosfet的重要優值系數 (fom) 為185 mw*nc，達到同類產品最佳水平。

制造商:stmicroelectronics 產品種類:整流器 安裝風格:smd/smt 封裝 / 箱體:to-252 vr - 反向電壓 :200 v if - 正向電流:16 a (2 x 8 a) 類型:fast recovery rectifiers 配置:dual common cathode vf - 正向電壓:1.25 v 最大浪涌電流:50 a ir - 反向電流 :5 ua 恢復時間:20 ns 最大工作溫度:+ 175 c 資格:aec-q101 封裝:cut tape 封裝:mousereel 封裝:reel 高度:2.4 mm 長度:6.6 mm 產品:rectifiers 寬度:6.2 mm 商標:stmicroelectronics pd-功率耗散:- 產品類型:rectifiers 工廠包裝數量2500 子類別:diodes & rectifiers 單位重量:1.800 g

應用：

安全系統

無源傳感器（pir[1]）等

工業設備

可編程邏輯控制器、i/o接口、各種傳感器控制等

樓宇自動化系統

代替機械式繼電器

特性：

低觸發led電流：ift＝1ma（最大值）

小型封裝：4引腳so6

高絕緣電壓：bvs＝3750vrms（最小值）

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）