標準的cmos邏輯工藝生產出64m位鐵電ram(fram)芯片，能代替各種應用的嵌入式閃存和嵌入式dram。

同一芯片上有嵌入式存儲器和處理器，外設和其它元件將會降低元件數量和系統復雜性，增加系統性能和數據安全。ti公司認為，fram比其它的嵌入式存儲器的制造成本低，功耗也低。

ti公司所生產的64m位fram有最小的fram單元，僅為0.52平方微米。fram有快速存取時間，低功耗，小單元面積和低制造成本，使它能用來存儲程序和數據，非常適合用在無線領域。

其它的潛在市場包括有寬帶接入，消費類電子和ti公司的大量的可編程dsp。

制造商:microchip產品種類:以太網 icrohs: 安裝風格:smd/smt封裝 / 箱體:sqfn-72產品:ethernet controllers標準:10base-te, 100base-tx, 1gbase-t收發器數量:1 transceiver數據速率:10 mb/s, 100 mb/s, 1 gb/s, 2.5 gb/s接口類型:pcie工作電源電壓:1.2 v最小工作溫度:0 c最大工作溫度:+ 70 c系列:封裝:reel商標:microchip technology電源電流—最大值:284 ma雙工:full-duplex, half-duplex濕度敏感性:yespd-功率耗散:936 mw產品類型:ethernet ics3000子類別:communication & networking ics電源電壓-最大:1.32 v電源電壓-最小:1.14 v

超緊湊型x2電容器，額定工作電壓為 275 v ac，容值范圍為33 nf ~ 1 μf。

且各型號具有不同的引線間距，分別為 10 mm (b32921x* / y*)、15 mm (b32922x* / y*) 和 22.5 mm (b32923x* / y*)，具體視容值而定。

新元件的一大亮點是超緊湊的尺寸，僅為4.0 × 9.0 × 13.0 mm (33 nf) ~ 10.5 × 16.5 × 26.5 mm (1 μf)，具體同樣取決于容值。該型電容器通過ul、en和iec 60384-14:2013標準認證，采用阻燃等級為ul 94 v-0的外殼和灌封材料，最高工作溫度可達110 °c。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）