臺積電的40納米g制造工藝提供業界最完善的ip平臺。這一arm 最新的、已通過流片驗證的物理ip能夠滿足性能驅動消費產品的高成本效率開發；這些產品要求在不提高功耗的前提下提供先進的功能。這一平臺是為那些期望使用40納米工藝進行設計的開發者設計的，能夠促進更高水平的技術創新，同時保持性能驅動消費產品的功耗水平。

這些消費產品包括：磁盤驅動器、機頂盒、移動計算設備、網絡應用、高清電視以及圖形處理器。

通過以長通道長度設備（long channel length devices）取代或補充hvt、rvt或者lvt嵌入層，能夠極大地節省功耗和成本，提供更好的性能、更低的泄漏以及更低的制造成本。

當今許多空間受限的設計都使用帶有集成功率 mosfet (ifet) 的負載點 (pol) 轉換器來解決工程挑戰。

高性能電源設計繼續要求在日漸縮小的板上空間中提供更高的功率。更高的電源密度對電源設計師提出了新的挑戰。設計必須具有高于 90% 的轉換效率，以限制功耗和電源中的溫升。由于 dc/dc 電源轉換的損耗和有限的氣流，使得散熱空間非常狹小，因此熱性能的設計尤其重要。

在限制用以減小電源設計整體尺寸的外置電容時，這些電源必須具有卓越的輸出紋波和瞬態響應。電源設計師被迫在設計一個分立式電源轉換器和購買一個傳統的電源模塊解決方案之間進行選擇。

商用聚酰亞胺膜以光刻膠的形式提供，它們按照嚴格管控的厚度沉積在晶圓上，然后采用標準的光刻工藝成型。數字隔離器所用的隔離變壓器的工藝流程。

對頂部金屬層形成底部線圈的cmos晶圓旋轉涂覆第一層光敏聚酰亞胺,采用光刻技術形成聚酰亞胺層。

然后，對聚酰亞胺進行熱固化，以實現高結構質量。對頂部線圈層電鍍，然后涂覆第二層聚酰亞胺層，并進行成形和硬化，形成頂部線圈封裝。由于沉積而成的聚酰亞胺膜沒有空隙,不會發生電暈放電現象，所以變壓器設備也具有良好的老化特性，非常適合在連續的交流或直流電壓下工作。

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