金屬氧化物半導體場效應晶體管（mosfet）600v coolmos c6系列。有了600v coolmos c6系列器件，諸如pfc（功率因數校正）級或pwm（脈寬調制）級等能源轉換產品的能源效率可得到大幅提升。

c6系列是英飛凌推出的第五代coolmos金屬氧化物半導體場效應晶體管（mosfet）。

全新c6技術融合了現代超結結構及包括超低單位面積導通電阻（例如采用to-220封裝，電阻僅為99毫歐）在內的補償器件的優勢，同時具有更低的電容開關損耗、更簡單的開關特性控制特性和更結實耐用的增強型體二極管。

coolmos c3是一個應用非常廣泛的產品系列,而cp系列可滿足需要最高開關速度和最低導通電阻的各種專門應用的需求。

optimos 3 75v系列，進一步壯大了英飛凌功率mosfet產品的陣容。

另外一案例，英飛凌還推出了采用to-220封裝、典型導通電阻為2毫歐的高功率optimos 3 75v功率mosfet器件，可替換兩顆替代性器件。

11月6日,在試驗大廳對避雷器進行停電試驗,在原始狀態及清抹表面后均得出b相數據不合格結果,證實避雷器內部故障。

英飛凌此次新推出的optimos 3 75v功率mosfet可以幫助滿足這些規范。

英飛凌的optimos 3 75v器件采用節省空間的superso8封裝，相對于同類器件而言，導通電阻和品質因素分別降低40%和34%，結果可使smps的同步整流級的功率損耗降低高達10%。

為客戶提供多種改進能效的解決方案，多年來一直是英飛凌的核心戰略之一。

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