基本特性

單結晶體管的基極b1、b2之間不加電壓時，發射極e與兩個基極間如同一般的晶體二極管，具有單向導電性。若按照圖(a)所示的實驗電路，在基極b2和b1之間接上正向電源go,在發射極e與第一基極b1之間接上正向電源g。,它將表現出獨特的性能。首先，電源gn,在硅片的等效電阻rc2、ro1上會產生電壓降，這會在a點與第一基極b1之間形成一個電壓ua,它由等效電阻r和ro,對gc6的分壓所決定。這時如果想讓發射極e、第一基極b1間導通，所加電壓u。必須超過ua電壓0.7v(硅二極管開始導通的正向電壓)才行。當u。低于ua時，發射極e、第一基極b1之間呈現截止狀態，發射極電流/。很小；當u。≥ua+0.7v時，e、b1之間立即導通，大量的空穴進入n型硅片，降低了a點到第一基極b1之間的電阻ro1。因此，在基極間電阻rc2和ro,上的電壓分布也改變了，結果u降低，pn結進一步被正向偏置，有更多的空穴進入n區，形成正反饋。于是/。迅速增加，并且由于ro;阻值的迅速減小，e、b1之間的電壓u。也會迅速下降，其特性曲線如圖(b)所示。因為隨著/。的增加使管壓降u反而減小的現象與一般電阻的性質(工作電流與電壓成正比關系)剛好相反，所以我們就稱這一現象為負阻特性，稱單結晶體管是一種電流控制型負阻器件。這種負阻特性是單結晶體管與普通晶體二極管的根本區別所在。

圖單結晶體管的特性

文章來源：不可不知的36種電子元器件（第二版）。作者：張曉得東。版權歸原作者。如涉版權請聯系刪除。