室內配線的電壓損失允許值要視電源引人處的電壓值而定
發布時間:2023/4/4 23:09:34 訪問次數:157
晶體二極管的伏安特性 二極管的電壓、電流關系曲線一伏安特性曲線。整個曲線大致可分成兩個部分:正向特性部分和反向特性部分。在正向特性部分中,有一個二極管承受正向電壓而未導通的部分,稱為死區。
線路的電壓損失的大小取決于導線電阻的大小,導線電阻大小與導體的材料、長度和截面積有關,即
r=p-u
式中 r一導線電阻;
p一導線材料系數也稱電阻系數;
l一導線長度;
s一導線截面積。
因為配線線路過長,導線截面積過小,必然造成電壓損失過大,這樣會使用電電器功率不足,甚至發熱燒毀,電燈發光效率也大大降低。
所以相關標準對用電設各的受電電壓做了如下規定:電動機的受電電壓不應低于額定電壓的95%;普通照明燈的受電電壓不應低于額定電壓的95%。室內配線的電壓損失允許值要視電源引人處的電壓值而定,應該確保受電電壓規定值。
晶碎管紐簡單應用,半導體與pn結,半導體導電能力介于導體與絕緣體之間的材料稱半導體。純凈的半導體稱本征半導體,在純凈的半導體中加入某些五價元素,就形成主要由自由電子導電的電子型半導體(n型半導體);而加人某些三價元素,就形成主要由空穴導電的空穴型半導體(p型半導體)。
pn結利用擴散法或合金法把p型半導體和n型半導體結合在一起,在交接面處會囚多數載流子濃度不同而進行擴散,形成一個“pn”結。pn結有一個內電場,由n區指向p區。
當pn結處于正向偏置(p區電位高于n區電位)時,內電場被削弱,在pn結內形成較大的擴散電流(pn結正向導通);而當pn結處于反向偏置時,內電場被加強,漂移越過pn結的電流很小,此電流稱為反向漏電流(pn結反向截止)。pn結加正向電壓導通,加反向電壓截止的現象,稱為pn結的單向導電性。
晶體二極管把pn結加上相應的封裝和電極引出線,就成為晶體二極管。
(硅二極管死區電壓約0.5Ⅴ,鍺二極管約0.2v)。導通后工極管兩端的管壓降(硅二
晶體二極管的伏安特性 二極管的電壓、電流關系曲線一伏安特性曲線。整個曲線大致可分成兩個部分:正向特性部分和反向特性部分。在正向特性部分中,有一個二極管承受正向電壓而未導通的部分,稱為死區。
線路的電壓損失的大小取決于導線電阻的大小,導線電阻大小與導體的材料、長度和截面積有關,即
r=p-u
式中 r一導線電阻;
p一導線材料系數也稱電阻系數;
l一導線長度;
s一導線截面積。
因為配線線路過長,導線截面積過小,必然造成電壓損失過大,這樣會使用電電器功率不足,甚至發熱燒毀,電燈發光效率也大大降低。
所以相關標準對用電設各的受電電壓做了如下規定:電動機的受電電壓不應低于額定電壓的95%;普通照明燈的受電電壓不應低于額定電壓的95%。室內配線的電壓損失允許值要視電源引人處的電壓值而定,應該確保受電電壓規定值。
晶碎管紐簡單應用,半導體與pn結,半導體導電能力介于導體與絕緣體之間的材料稱半導體。純凈的半導體稱本征半導體,在純凈的半導體中加入某些五價元素,就形成主要由自由電子導電的電子型半導體(n型半導體);而加人某些三價元素,就形成主要由空穴導電的空穴型半導體(p型半導體)。
pn結利用擴散法或合金法把p型半導體和n型半導體結合在一起,在交接面處會囚多數載流子濃度不同而進行擴散,形成一個“pn”結。pn結有一個內電場,由n區指向p區。
當pn結處于正向偏置(p區電位高于n區電位)時,內電場被削弱,在pn結內形成較大的擴散電流(pn結正向導通);而當pn結處于反向偏置時,內電場被加強,漂移越過pn結的電流很小,此電流稱為反向漏電流(pn結反向截止)。pn結加正向電壓導通,加反向電壓截止的現象,稱為pn結的單向導電性。
晶體二極管把pn結加上相應的封裝和電極引出線,就成為晶體二極管。
(硅二極管死區電壓約0.5Ⅴ,鍺二極管約0.2v)。導通后工極管兩端的管壓降(硅二