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64層3D NAND閃存存儲器器件

發布時間:2023/9/14 14:20:52 訪問次數:159

產品概述:

h27ucg8t2btr-bc
是一款高性能的nand閃存存儲器產品,具有許多先進的技術亮點和設計特征。本文將詳細介紹該產品的各項特點,并探討其在市場上的應用前景。

一、產品詳情
h27ucg8t2btr-bc
是一款64層3d nand閃存存儲器產品,采用了先進的三位元存儲單元技術,具有高密度、高速度和高可靠性的特點。
該產品采用了tlc(三位元細胞)架構,每個存儲單元可以存儲三個數據位,從而實現更高的存儲密度。
同時,該產品還采用了高速寫入和擦除技術,能夠提供出色的讀寫性能。

二、技術亮點
1、64層3d nand技術:h27ucg8t2btr-bc采用了64層的3d nand技術,將存儲單元堆疊起來,從而實現更高的存儲密度和容量。

2、tlc架構:該產品采用了tlc架構,每個存儲單元可以存儲三個數據位,相比傳統的mlc(多位元細胞)架構,存儲密度更高。

3、高速寫入和擦除技術:h27ucg8t2btr-bc具有高速寫入和擦除技術,能夠提供出色的讀寫性能。用戶可以更快地存儲和讀取數據,提高工作效率。

4、高可靠性:該產品具有高可靠性,采用了先進的錯誤糾正碼(ecc)技術和故障管理功能,可以有效降低數據錯誤和故障率。

三、參數和規格


存儲容量:64gb
供電電壓:2.7-3.6v
工作溫度范圍:-40°c至85°c
接口:sata 6gb/s
存儲器尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
讀取速度:最高可達500mb/s
寫入速度:最高可達400mb/s
四、引腳包裝
采用了fbga(焊球網格陣列)封裝,具有63個引腳。該封裝方式可以提供更高的密度和可靠性,適用于高密度存儲器產品。

五、設計特征

1、低功耗設計:該產品采用了低功耗設計,可以有效延長設備的電池壽命,適用于移動設備等對電池壽命要求較高的場景。

2、高可靠性設計:h27ucg8t2btr-bc采用了高可靠性設計,具有故障管理功能和錯誤糾正碼技術,可以有效降低數據錯誤和故障率。

3、高速讀寫設計:該產品具有高速讀寫設計,可以提供出色的讀寫性能,提高用戶的工作效率。

六、市場應用
適用于各種存儲器應用場景,包括但不限于以下領域:
1、移動設備:由于其低功耗和高密度的特點,h27ucg8t2btr-bc適用于各種移動設備,如智能手機、平板電腦和便攜式音樂播放器等。

2、攝影和視頻設備:該產品的高存儲密度和高速讀寫性能使其成為攝影和視頻設備的理想選擇。用戶可以更大容量地存儲照片和視頻,并實現快速的數據傳輸。

3、工業控制系統:h27ucg8t2btr-bc的高可靠性和高速讀寫性能使其適用于工業控制系統。用戶可以存儲和讀取大量的監控數據和操作記錄。

4、電子游戲機:由于游戲對存儲器的需求較高,h27ucg8t2btr-bc的高速讀寫性能可以提供更流暢的游戲體驗。

總結:
h27ucg8t2btr-bc
是一款具有高密度、高速度和高可靠性的nand閃存存儲器產品。
它采用了64層3d nand技術和tlc架構,具有高速讀寫性能和低功耗設計。該產品的引腳包裝為fbga封裝,適用于高密度存儲器產品。
在市場上,h27ucg8t2btr-bc適用于各種存儲器應用場景,包括移動設備、攝影和視頻設備、工業控制系統和電子游戲機等。

產品概述:

h27ucg8t2btr-bc
是一款高性能的nand閃存存儲器產品,具有許多先進的技術亮點和設計特征。本文將詳細介紹該產品的各項特點,并探討其在市場上的應用前景。

一、產品詳情
h27ucg8t2btr-bc
是一款64層3d nand閃存存儲器產品,采用了先進的三位元存儲單元技術,具有高密度、高速度和高可靠性的特點。
該產品采用了tlc(三位元細胞)架構,每個存儲單元可以存儲三個數據位,從而實現更高的存儲密度。
同時,該產品還采用了高速寫入和擦除技術,能夠提供出色的讀寫性能。

二、技術亮點
1、64層3d nand技術:h27ucg8t2btr-bc采用了64層的3d nand技術,將存儲單元堆疊起來,從而實現更高的存儲密度和容量。

2、tlc架構:該產品采用了tlc架構,每個存儲單元可以存儲三個數據位,相比傳統的mlc(多位元細胞)架構,存儲密度更高。

3、高速寫入和擦除技術:h27ucg8t2btr-bc具有高速寫入和擦除技術,能夠提供出色的讀寫性能。用戶可以更快地存儲和讀取數據,提高工作效率。

4、高可靠性:該產品具有高可靠性,采用了先進的錯誤糾正碼(ecc)技術和故障管理功能,可以有效降低數據錯誤和故障率。

三、參數和規格


存儲容量:64gb
供電電壓:2.7-3.6v
工作溫度范圍:-40°c至85°c
接口:sata 6gb/s
存儲器尺寸:11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
讀取速度:最高可達500mb/s
寫入速度:最高可達400mb/s
四、引腳包裝
采用了fbga(焊球網格陣列)封裝,具有63個引腳。該封裝方式可以提供更高的密度和可靠性,適用于高密度存儲器產品。

五、設計特征

1、低功耗設計:該產品采用了低功耗設計,可以有效延長設備的電池壽命,適用于移動設備等對電池壽命要求較高的場景。

2、高可靠性設計:h27ucg8t2btr-bc采用了高可靠性設計,具有故障管理功能和錯誤糾正碼技術,可以有效降低數據錯誤和故障率。

3、高速讀寫設計:該產品具有高速讀寫設計,可以提供出色的讀寫性能,提高用戶的工作效率。

六、市場應用
適用于各種存儲器應用場景,包括但不限于以下領域:
1、移動設備:由于其低功耗和高密度的特點,h27ucg8t2btr-bc適用于各種移動設備,如智能手機、平板電腦和便攜式音樂播放器等。

2、攝影和視頻設備:該產品的高存儲密度和高速讀寫性能使其成為攝影和視頻設備的理想選擇。用戶可以更大容量地存儲照片和視頻,并實現快速的數據傳輸。

3、工業控制系統:h27ucg8t2btr-bc的高可靠性和高速讀寫性能使其適用于工業控制系統。用戶可以存儲和讀取大量的監控數據和操作記錄。

4、電子游戲機:由于游戲對存儲器的需求較高,h27ucg8t2btr-bc的高速讀寫性能可以提供更流暢的游戲體驗。

總結:
h27ucg8t2btr-bc
是一款具有高密度、高速度和高可靠性的nand閃存存儲器產品。
它采用了64層3d nand技術和tlc架構,具有高速讀寫性能和低功耗設計。該產品的引腳包裝為fbga封裝,適用于高密度存儲器產品。
在市場上,h27ucg8t2btr-bc適用于各種存儲器應用場景,包括移動設備、攝影和視頻設備、工業控制系統和電子游戲機等。

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