飛兆半導體公司 (fairchild semiconductor) 的fga25n120antd 1200v npt溝道 igbt結合業界最佳的抗雪崩能力和經優化的開關和導通損耗性能權衡，能為電磁加熱 (ih) 應用提高系統可靠性和效率。fga25n120antd 專為微波爐、ih電飯煲和其它ih炊具而設計，與上一代器件相比，它的工作溫度可降低達10℃，因而能夠延長系統壽命。npt溝道igbt采用飛兆半導體的專利溝道技術和非穿通型 (npt) 技術。這種優化的單元設計和薄型晶圓制造工藝使得fga25n120antd能夠耐受最大450mj的雪崩能量，確保在異常的雪崩模式情況下仍能進行無故障運作。



　　飛兆半導體功能功率部副總裁taehoon kim稱：“在電磁加熱設備中，不穩定的功率、ac線路浪涌和系統故障會引起雪崩模式情況，導致機器瞬間失效。為了解決ih應用中的這些可靠性問題，我們的新型1200v npt溝道igbt提供業界最佳的抗雪崩能力，還同時優化性能方面的權衡，以降低工作溫度及提升總體系統效率。”

fga25n120antd的其它特性和系統優勢包括：
 低飽和電壓 (vce(sat), typ = 2.0v @ ic = 25a 和 tc = 25°c) 以限制導通損耗；
 低開關損耗 (eoff, typ = 0.96mj @ ic = 25a 和 tc = 25°c) 以減少系統功耗；以及
 內置frd (快速恢復二極管) 以簡化電路設計和減少元件數。

　　fga25n120antd以to-3p無鉛封裝形式供貨，能達到甚至超越ipc/jedec的 j-std-020b標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。

　　飛兆半導體針對高功率電磁加熱應用如電飯煲和其它ih飲具及微波爐等，提供范圍廣泛的 600v至1700v分立 igbt產品集，能夠滿足客戶對于電磁加熱拓撲各種不同的需求。