ATTINY25/45/85(V)
產品相片 8-SOIC
產品培訓模塊 MCU Product Line Introduction
tinyAVR Introduction
標準包裝 95
類別 集成電路 (IC)
家庭 嵌入式 - 微控制器，
系列 AVR® ATtiny
核心處理器 AVR
核心尺寸 8-位
速度 20MHz
連接性 USI
外設 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT
I/O 數 6
程序存儲容量 4KB（2K x 16）
程序存儲器類型 閃存
EEPROM 容量 256 x 8
RAM 容量 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd) 2.7 V ~ 5.5 V
數據轉換器 A/D 4x10b
振蕩器類型 內部
工作溫度 -40°C ~ 85°C
封裝/外殼 8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）
包裝 管件
ATTINY45-20SU全新原裝進口 公司現貨主營atmelAVR單片機 晶體三極管由兩個PN結組成，PN結的正向電阻很小，反向電阻很大
晶體三極管，根據三個電極之間的電阻關系，可以確定三極管的基極。
由于三極管的發射結與集電結的結構上的差別，當把集電極當發射極使用時，其電流放大系數β值較小，反之β值較大。在確定基極后，比較三極管的β值大小，可以確定集電極和發射極。
使三極管基極開路，在發射極和集電極之間加一小電壓，使發射結承受正向電壓，集電結承受反向電壓，這時集電極之間加一偏流電流（如用歐姆表，反映出來是電阻很大）。在基極和集電極之間加一偏流電阻，集電極電流顯著增大（因有了一定的基極電流），ATTINY45-20SU全新原裝進口公司現貨主營atmelAVR單片機這時集電極和發射極之間電阻僅為偏流電阻的十幾分之一。從集電極電流墻的幅度可判斷β值的大小（用歐姆表時，如果表針偏角較基極開路時增加的幅度大，則β值就大）。編輯本段工作原理
晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一
晶體三極管種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和PNP兩種三極管，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
NPN管它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極。當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。
主營產品：單片機 電源驅動管理芯片 光耦 LED驅動芯片相位 邏輯 運算放大芯片及光電器件MOS管 二三級管 FLASH閃存 內存芯片 IGBT 可控硅 整流模塊 傳感器等！
公司主營品牌：MICROCHIP 臺灣義隆：PIC12F PIC16FPIC18F EM78P 系列單片機；POWER：TNY TOPLNK系列電源IC；TI品牌：LM3S系列 OPA系列 TPS系列電源芯片等，夏普 安捷倫 仙童 東芝光耦；ATMEL、ALTERA、TI/BB、FAIRCHILD、ST、PHILIPS/NXP、MAX、IR、ON、NSC、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、INFINONEADI等品牌集成電路，另外本公司經營國巨、 風華、 厚生 、三星、基美、TDK 、 AVX 等品牌貼片陶瓷電容鉭電容及貼片電阻！產品主要應用于IT、通信、遙控、汽車、控制系統、汽車、機械、衛星 LED燈飾產品數等。
我們選用2x2光開關，并采用差分結構設計實現不同延時量的切換，此類光開關的平均插入損耗約為0.8 dB，并且由于采用了差分結構每種延時通路經過光開關的通路次數相同，損耗一致性較好，常用的G.652光纖損耗約為0.2dB/km，照以上參數計算，整個光路的損耗由四部分決定：直調激光器的電光轉換效率，光纖通路損耗，光電探測器的電光轉換效率，以及輸入輸出阻抗比;可由(2)式表示：
ηTX為直調激光器的電光轉換效率，根據測試得到的ηTX為0.075。ηRX為光電探測器的光電轉換效率，根據測試得到的ηRX為0.65。Lop為光纖通路的損耗，包括以下幾部分：光纖自身的傳輸損耗，光開關的插入損耗和各個光連接頭的損耗;按最長光纖長度為22 495 m計算，最大的光纖傳輸損耗為4.5 dB(標準單模光纖的損耗系數為0.2 dB/km);每個光開關的插入損耗為0.8 dB，共有10個光開關，因此光開關的總插入損耗為8 dB;每個光連接頭的插入損耗為0.2 dB;光鏈路需經過的光連接頭共有20個，因此光連接頭引入的損耗為4 dB;這樣整個光鏈路的損耗Lopt為4.5+8+4=16.5 dB。Rin和Rout分別為輸入匹配阻抗和輸出匹配阻抗，均為50Ω。根據以上分析，按照(2)式所計算的通過光路的射頻信號的增益GdB為-42.7 dB。
模擬雷達的回波信號的延遲衰減量LdB與模擬距離H的關系滿足式(3)：
