品牌：IR
類別：分離式半導體產品家庭：FET - 單
系列：FETKY™
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：6.5A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：29 毫歐 @ 5.8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：33nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：650pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRF7353D2PBFTRIRF7353D2TRPBF-NDIRF7353D2TRPBFTR-ND
標準包裝：4,000
封裝：SOP8
數量：15000
單價：面議
備注：深圳市勤思達科技有限公司主營IR系列場效應管，公司授權分銷，正品原裝 ，品質保證，
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描述：該FETKY家族的共封裝MOSFET和肖特基二極管提供設計師的創意，電路板空間節省的開關穩壓器解決方案和電源
管理應用。第5代HEXFET功率MOSFET采用先進的加工技術，以實現極低導通電阻每硅片面積。 Combinining這種技
術國際整流器公司的低正向壓降肖特基整流器產生的適用于各種便攜式的使用效率非常高的設備電子應用。
采用SO-8已經通過定制的引線框架的被修改增強的熱特性。在SO -8封裝是專為汽相，紅外線或波焊技術。特點：
•共同封裝的HEXFET®功率MOSFET和肖特基二極管
•理想的降壓穩壓器的應用
•N溝道HEXFET
•低VF肖特基整流器器
•第5代技術qSO- 8封裝
