品牌：IR
類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點：標準型
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：5.8A，4.3A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 毫歐 @ 5.8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：520pF @ 25V
功率 - 最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRF7379PBFTRIRF7379TRPBF-NDIRF7379TRPBFTR-ND
標準包裝：4,000
封裝：SOP8
數量：15000
單價：面議
備注：深圳市勤思達科技有限公司主營IR系列場效應管，公司授權分銷，正品原裝 ，品質保證，
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描述：國際整流器第五代HEXFETs利用先進的加工技術，以實現極低的導通電阻每硅片面積。
這益處，結合快速開關速度和堅固耐用的設備的設計，HEXFET功率MOSFET是眾所周知的
為設計者提供用一個非常有效和可靠的裝置，用于使用在各種各樣的應用中。
采用SO-8已經通過定制的引線框架的被修改增強的熱特性。在SO -8封裝是專為汽相，紅外線或波焊技術。
特點：
•第五代技術
•超低導通電阻
•免費半橋
•表面貼裝
•全額定雪崩
