數據列表 ISL6594A, ISL6594B產品相片 10-DFN, L10.3X3 PKG
標準包裝 ? 6,000
類別 集成電路 (IC)
家庭 PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關
系列 -
包裝 ? 帶卷 （TR） ?
配置 高端和低端，同步
輸入類型 PWM
延遲時間 10ns
電流 - 峰值 1.25A
配置數 1
輸出數 2
高壓側電壓 - 最大值（自舉） 36V
電壓 - 電源 10.8 V ~ 13.2 V
工作溫度 0°C ~ 85°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 10-VFDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝 10-DFN（3x3）
產品目錄頁面 1241 (CN2011-ZH PD
雖然用于氮化鎵生長最理想的襯底是氮化鎵單晶材料，ISL6594BCRZ-T該材料不僅可以大大提高外延膜的晶體質量，降低位錯密度，還能提高器件工作壽命、工作電流密度和發光效率。但是，制備氮化鎵體單晶材料非常困難，到目前為止尚未有行之有效的辦法。
為此，科研人員在其他襯底(如碳化硅)上生長氮化鎵厚膜，然后通過剝離技術實現襯底和氮化鎵厚膜的分離，分離后的氮化鎵厚膜可作為外延用的襯底。盡管以氮化鎵厚膜為襯底的外延，相比在碳化硅材料上外延的氮化鎵薄膜，位元錯密度要明顯低，但價格昂貴。
于是，陳小龍團隊選擇了碳化硅單晶襯底研究。他指出，碳化硅單晶襯底有許多突出的優點，如化學穩定性好、導電性能好、導熱性能好、不吸收可見光等，但也有不足，如價格太高。
早年，全球市場上碳化硅晶片價格十分昂貴，一片2英寸碳化硅晶片的國際市場價格曾高達500美元(2006年)，但仍供不應求。高昂的原材料成本占碳化硅半導體器件價格的10%以上，“碳化硅晶片價格已成為第三代半導體產業發展的瓶頸。”陳小龍說。
為了降低器件成本，下游產業對碳化硅單晶襯底提出了大尺寸的要求。因而，采用先進的碳化硅晶體生長技術，實現規模化生產，降低碳化硅晶片生產成本，將促進第三代半導體產業的迅猛發展，拓展市場需求。
天科合達成立于2006年，依托于陳小龍研究團隊中在碳化硅領域的研究成果。自成立以來，天科合達研發出碳化硅晶體生長爐和碳化硅晶體生長、加工技術及專業設備，建立了完整的碳化硅晶片生產線。
這些年來，天科合達致力于提高碳化硅晶體的質量，以及大尺寸碳化硅晶體的研發，將先進的碳化硅晶體生長和加工技術產業化，大規模生產和銷售具有自主知識產權的碳化硅晶片。
10年自主創新之路
美國科銳公司作為碳化硅襯底提供商，曾長期壟斷國際市場。2011年，科銳公司發布了6英寸碳化硅晶體，同年，天科合達才開始量產4英寸碳化硅晶體。
2013年，陳小龍團隊開始進行6英寸碳化硅晶體的研發工作，用了近一年的時間，團隊研發的國產6英寸碳化硅單晶襯底問世。測試證明，國產6英寸碳化硅晶體的結晶質量很好，該成果標志著物理所碳化硅單晶生長研發工作已達到國際先進水平，可以為高性能碳化硅基電子器件的國產化提供材料基礎。
“雖然起步有點晚，但通過10多年的自主研發，我們與國外的技術差距在逐步縮小。”陳小龍說。作為國內碳化硅晶片生產制造的先行者，天科合達打破了國外壟斷，填補了國內空白，生產的碳化硅晶片不僅技術成熟，還低于國際同類產品價格。
截至2014年3月，天科合達形成了一條年產7萬片碳化硅晶片的生產線，促進了我國第三代半導體產業的持續穩定發展，取得了較好的經濟效益和社會效益。
陳小龍指出，當前碳化硅主要應用于三大領域：高亮度LED、電力電子以及先進雷達，以后還可能走進家用市場，這意味著陳小龍團隊的自主創新和產業化之路還將延續。
