數據列表 MAX133,134
產品相片 44-LCC (J-Lead)
產品培訓模塊 Lead (SnPb) Finish for COTS
Long-Term Supply Program
標準包裝 ? 500
類別 集成電路 (IC)
家庭 數據采集 - ADCs/DAC - 專用型
系列 -
包裝 ? 帶卷 （TR） ?
類型 ADC
分辨率（位） 3.75 位
采樣率（每秒） 20
數據接口 -
電壓源 雙 ±
電壓 - 電源 ±5V
工作溫度 0°C ~ 70°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 44-LCC（J 形引線）
供應商器件封裝 44-PLCC（16.51x16.51） 臺積電于上月初的供應鏈管理論壇中，宣示二年在10納米制程超越半導體霸主英特爾，但在同月底的國際電子元件技術研討會（IEDM）即遭英特爾打臉，在這項半導體重要技術指標競賽場中，英特爾的10納米技術大幅領先臺積電，業界預期臺積電二年內無法超越。


此外，三星也再次展現在14納米與臺積電一拚高下的決心，三星的14納米良率大幅提升，市場盛傳三星可能挾高超的記憶體整合技術，重新贏得蘋果青睞，再度攜手合作下世代A9處理器，搶單的企圖讓臺積電備感壓力。


臺積電不愿針對客戶訂單及裝機作業做任何評論，一切等到法說會向對外說明。臺積法說會訂于本周四（15日）舉行。


臺積電去年即對自家16納米鰭式場效電晶體（FinFET）技術超越競爭對手引以自豪，甚至強調16納米制程與對手的競賽已結束，重心全力放在10納米FinFET等下世代先進制程研發。臺積電并透過成立“夜鷹部隊”，投入24小時研發無縫接軌，力拚二年內在10納米制程一舉超越英特爾，成為半導體新霸主。


臺積電在IEDM展現16 FinFET+的工藝，強調芯片速度比前一代快15%、功耗低30%。不過，在10納米FinFET與英特爾的競賽中，臺積電公布的技術卻遠遠不及英特爾。據參與這項研討會的半導體業者分析，臺積電根本不可能在二年內超越英特爾，外傳臺積電可能商請退休前主掌研發的蔣尚義回鍋，重新擘劃未來十年技術藍圖，這也透露臺積電在10納米制程推進可能面臨阻力。


去年8月，英特爾在IDF技術論壇發表14納米FinFET制程，但臺積電不甘示弱，隨著推出強化版16 FinFET+，并于去年11月率先導入試產成功產出海思半導體的網通芯片，今年下半年將導入量產以安謀架構的手機應用處理器。臺積電在去年的供應鏈管理論壇，宣示今年將再砸下逾百億美元的資本支出，投入16納米量產線布建及10納米制程試產線作業。