數據列表 MMSD4148T(1,3)
PCN 設計/規格 Copper Wire 08/Jun/2009
類別 分立半導體產品
家庭 單二極管/整流器
系列 -
包裝 ? 帶卷 （TR） ?
二極管類型 標準
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值） 100V
電流 - 平均整流 (Io) 200mA（DC）
不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf) 1V @ 10mA
速度 小信號 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢復時間 (trr) 4ns
不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流 5μA @ 75V
不同 Vr、F 時的電容 4pF @ 0V，1MHz
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOD-123
供應商器件封裝 SOD-123
工作溫度 - 結 -55°C ~ 150°C
因應逆變器小型化的挑戰和強勁需求，意法半導體（ST）推出新款車規碳化矽（SiC）二極體，以滿足電動汽車和插電式混合動力車（Plug-in Hybrids;PHEVs）等新能源汽車對車載充電器（on-board battery chargers;OBCs）在有限空間內處理大功率的苛刻要求。
這些二極體讓設計人員能夠研發更小的電源模組；MMSD4148T1G這不僅對汽車電源系統有很大的幫助，還使其成為克服Google和IEEE提出的逆變器小型化挑戰的關鍵選擇。Google祭出高達100萬美元的獎金征招比現有逆變器的十分之一還小且適合各種應用領域、特別是太陽能微型發電機（solar micro-generator）的千瓦級逆變器設計；意法半導體也是這項公開挑戰賽的合作廠商。
新款二極體采用先進的技術可防止高電流突波（high-current spikes）燒毀裝置。為了安全起見，設計人員至今仍在超額使用二極體。意法半導體所開發的新產品徹底改變了這一局面，其過電流保護是額定電流的2.5倍，因此設計人員可選用更小且可靠性和效能都不會受到影響的電流更小的二極體。
意法半導體的新碳化矽二極體通過車規產品測試，反向擊穿電壓提高到650V,能夠滿足設計人員和汽車廠商欲降低電壓補償系數（voltage derating factor）的要求，以確保車載充電半導體元件的標準與瞬間峰值電壓之間有充足的安全邊際。
碳化矽作為寬能隙（Wide Band-Gap;WBG）技術擁有能效優勢；相對于元件本身的尺寸、比較切換損失（switching loss）和額定電壓（voltage rating）兩項參數，新產品均優于傳統的矽二極體。這次推出的650V二極體，包括TO-220AC功率封裝的10A STPSC10H065DY和TO-220AC封裝的12A STPSC12H065DY.此外，TO-220AB封裝的STPSC20H065CTY和TO-247封裝的STPSC20H065CWY是內建2個10A二極體的雙二極體（dual-diode）產品，可大幅度地提升空間利用度并減少車載充電器的重量。所有新品均已量產，并可立即出貨。
