產品相片 16-SOIC
標準包裝 ? 2,500
類別 分立半導體產品
家庭 晶體管（BJT） - 陣列
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
晶體管類型 7 NPN 達林頓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 1.6V @ 500μA， 350mA
電流 - 集電極截止（最大值） -
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V
功率 - 最大值 -
頻率 - 躍遷 -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 16-SOIC


臺灣的DRAM產業曾經是臺灣科技界指標性產業，但近幾年DRAM的供需市場產生很大的變化。動態隨機存取內存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見的內存組件。固態技術協會(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標準，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的發表，已有5年之久。對于產品日新月異，瞬息萬變的科技業而言，5年是非常久的時間。









標準DDR4模塊展示(圖片來源：www.techradar.com)





臺灣的DRAM產業曾經是臺灣科技界指標性產業，但近幾年DRAM的供需市場產生很大的變化。


2013年美光(Micron Technology Group)并購日本內存大廠爾必達(Elpida)后，全球DRAM生產幾乎由前三大公司：三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)以及美光所霸占，僥幸存活的少數廠商只能轉而幫其他大廠代工，或是改為生產具有市場利基的產品。如今行動裝置與物聯網重新帶動DRAM市場需求，朝向更小、更省電的方向邁進，若能掌握這股新趨勢，未來臺灣廠商在內存產業還是大有可為。


動態隨機存取內存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見的內存組件。在處理器相關運作中，DRAM經常被用來當作數據與程序的主要暫存空間。相對于硬盤或是閃存(Flash Memory)，DRAM具有訪問速度快、體積小、密度高等綜合優點，因此廣泛的使用在各式各樣現代的科技產品中，例如計算機、手機、游戲機、影音播放器等等。


自1970年英特爾(Intel)發表最早的商用DRAM芯片-Intel 1103開始，隨著半導體技術的進步與科技產品的演進，DRAM標準也從異步的DIP、EDO DRAM、同步的SDRM(Synchronous DRAM)、進展到上下緣皆可觸發的DDR DRAM(Double-Data Rate DRAM)。


每一代新的標準，目的不外乎是針對前一代做以下的改進：單位面積可容納更多的內存、數據傳輸的速度更快、以及更少的耗電量。更小、更快、更省電，是半導體產業永不停息的追求目標，當然DRAM也不例外。


固態技術協會(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標準，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的發表，已有5年之久。


對于產品日新月異，瞬息萬變的科技業而言，5年是非常久的時間。2007年6月第一代iPhone問世，同年DRAM產業宣布DDR3時代來臨;到了2012年，iPhone都已經推進到iPhone5了，DRAM才正式進入DDR4，相比之下DRAM的進步不得不說相當緩慢。


隨著行動裝置的盛行，個人計算機市場逐漸式微，NCV1413BDG加上缺乏可以刺激消費者積極更新設備的應用程序，這些因素都降低了大眾對新一代DRAM標準的渴望。


即使新標準看起來有更多優點，但無法激起消費者的購買欲望，就沒有市場，新一代DRAM的需求若不顯著，DRAM廠對于投入資金研發新技術的意愿就顯得意興闌珊，新標準的制定也就不那么急迫了。


DDR4 PK DDR3


即使緩步前進，DDR4終究還是來到大家的面前。新的標準必定帶來新的氣象，讓我們來看看DDR4與DDR3有什么不同之處：