1. 性能參數差異點： 序號 主要區別 AP8012 VIPER12 1 啟動電壓典型值 DC15.5V DC14.5V 2 關斷電壓典型值 DC9V DC8V 3 內置MOS管 最小值730V，典型值750V 最小值730V，典型值800V 4 VCC工作電流典型值 4mA 4.5mA 5 工作頻率典型值 55kHz 60kHz 2.應用分析及優化條件：
序號 參數差異分析 需要調整的器件 器件調整值 1 啟動電壓高對系統應用基本沒有影響。 無 2 由于關斷電壓高，實際應用的時候，在電源空載的情況下，VCC電源會降低，如果電壓降低到9V以下，會引起芯片當機重啟。 變壓器 將輔助繞組端的輸出電壓設置在 12V，確保空載的時候電壓不會低于9V。 3 內置MOS耐壓低，在浪涌、老化、啟動、短路的時侯都會有高壓引入，造成MOS擊穿。 變壓器 RC吸收電路變壓器調整參看后面 建議，RC參數建議C=10NF、R=51K。 4 工作電流少，對系統應用沒影響，不做修改。 無 5 工作頻率比VIPER低5kHz，所以變壓器更容易 飽和，飽和后的芯片溫度也更高 變壓器變壓器調整參看后面建議。 變壓器參數分析： 為了確保MOS不被擊穿，同時變壓器不出現飽和現象，我們推薦一下數值：
變壓器規格 建議初級圈數 建議感量 建議初級與次級匝比 輸出3.3V 輸出5V 輸出9V 輸出12V EE16 140~160T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EE19 110~130T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EE20 110~130T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EE22 100~120T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EF25 90~110T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EE28 90~110T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 注：初級的反射電壓控制在80V以下。初級線圈略大，漏感會增加，如果漏感能夠控制在5%以內，圈數增多也是可以的。5V和3.3V的匝比是在輸出整流管為肖特基管的條件下計算的
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