制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFETId-連續漏極電流: 16 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Rds On-漏源導通電阻: 70 mOhms
晶體管極性: N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 : 20 V
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 40 W
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
商標: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 25 ns
最小工作溫度: - 55 C
上升時間: 45 ns
系列: STD16NE0
