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SI3443DV-T1-E3

發布時間:2015/7/16 16:44:00 訪問次數:332 發布企業:深圳市翔睿騰科技有限公司

SI3443DV-T1-E3

數據列表SI3443DV
產品相片PowerTrench Series
PCN 設計/規格Mold Compound 08/April/2008
PCN 封裝Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Black Plastic Reel Update 30/Jun/2015
標準包裝3,000
類別分立半導體產品
家庭FET - 單
系列PowerTrench®
包裝帶卷(TR)
FET 類型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能邏輯電平柵極,2.5V 驅動
漏源極電壓(Vdss)20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)4A(Ta)
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)65 毫歐 @ 4A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)10nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)640pF @ 10V
功率 - 最大值800mW
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商器件封裝6-SSOT
其它名稱SI3443DVFSTR

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