SI7617DN-T1-GE3

制造商:Vishay
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
商標:Vishay Semiconductors
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8
通道數量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:- 30 V
Id-連續漏極電流:- 35 A
Rds On-漏源導通電阻:12.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:20.5 nC
最大工作溫度:+ 150 C
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:11 ns
正向跨導 - 最小值:35 S
最小工作溫度:- 55 C
Pd-功率耗散:52 W
上升時間:43 ns
工廠包裝數量:3000
晶體管類型:1 P-Channel
典型關閉延遲時間:30 ns
典型接通延遲時間:40 ns
零件號別名:SI7617DN-GE3