參數說明：

標準包裝：1000個

類別：分離半導體

FET類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET功能：標準

漏源極電壓：400V

電流連續漏極：10A

不同ID,VGS時的RDS ON最大值：550毫歐@6A,10V

不同ID時的VGS最大值：4V@250UA

不同VGS時的柵極電荷：63NC@10V

不同VDS時的輸入電容：1400PF@25V

功率最大值：125W

安裝類型：通孔

主要包含型號：

IRF730PBF 現貨：200K

IRF740PBF 現貨：170K

IRF830PBF 現貨：250K

IRF840PBF 現貨：220K

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