該XL6007調節器是一個寬輸入范圍，電流模式下， DC / DC轉換器，它是能夠產生的正或負輸出電壓。它可以被配置為升壓，反
激式， SEPIC或負輸出轉換器。建在N溝道的XL6007功率MOSFET和固定頻率振蕩器，電流模式架構在穩定工作在很寬的范圍內
供給的電壓和輸出電壓。
該XL6007調節器的特殊設計便攜式電子設備。
特點：
n廣泛的3.6V至24V輸入電壓范圍
n正或負輸出電壓與單個反饋引腳編程
n電流模式控制提供卓越的瞬態響應
n1.25V基準可調版本
n固定的400kHz開關頻率
n最大2A開關電流
nSW引腳內置過電壓保護
n出色的線路和負載調節
nEN引腳TTL關斷能力
n內部優化功率MOSFET
n高效率高達90％
n內置頻率補償
n內置軟啟動功能
n內置熱關斷功能
n內置電流限制功能
n采用SOIC -8封裝
應用：汽車和工業加速 降壓 - 升壓/負輸出轉換器 便攜式電子設備
中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產業協會(Semiconductor Equipment and Materials International，
SEMI)上周五發布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產能，預估有超過一半都將來自中國。
據SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產存儲器、晶圓代工四座、剩余四座
規模較小，主要生產類比式芯片、微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems)與LED等。對照日、韓同期間僅新增一座存儲器
產線。
全球半導體投資不分海內外均向中國集中，這是中國傾國家之力發展半導體所創造的結果。中芯國際(SMIC)、武漢新芯
(XMC Limited)目前都在蓋新廠，英特爾與臺積電在大陸也有大規模投資計劃正在進行。
據統計，今年全球半導體產能投資金額上看360億美元，較去年成長1.5%，明年更將成長13%至407億美元，其中多數將用于投
資3D NAND 快閃存儲器與10 納米晶圓廠。
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