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RUH30J30M DFN5060
RUH30J51M DFN5060
RUH3051M DFN5060
RUH3051L TO-252
RUH3051H SOP-8
RUH3051M2 DFN3333

RU1HP60RTO-220RUH30100M DFN5060
RUH3090L TO-252
RUH3090M DFN5060
RUH3090M-C DFN5060
RUH30120M DFN5060
RUH30120M-C DFN5060
RU2030M2DFN3333

RU20D40M3DFN3030
RUICHIPS專業從事功率集成電路、功率器件系列的設計及半導體微電子相關產品的研發；生產規模不斷擴大，產品涵蓋了MOSFET、IC、開關穩壓管等。
我們的大電流，大功率，超低阻抗，超快速開關MOS ，擬填補國內空白，在其他產業也都有廣泛的應用（如：電源，UPS,SMPS,Battery,逆變器，功放，各類消費類電子）。
公司也積極的部署IGBT /CMOS產品的研發，在電源管理芯片方面已流片成功CMOS 工藝為制程的16路恒流源，最小線寬0.35UM，以及各類開關穩壓管、各種低壓差線性穩壓器。產品具備高驅動能力、集成度高、體積小而且環保節能的優點，主要應用于LED驅動，未來還將在AC-DC、DC-DC方面加大研發力，提供一個具有成本效益的新一代大功率大電流MOSFET，同時也為客戶提供定制的系統設計。依托于持之以恒的研發投入，RUICHIPS一直在穩定、持續、快速的發展，為客戶提供優質、創新、低成本的集成電路產品和應用系統。
Ruichips是一家專注從事功率半導體研發、生產、銷售的高新技術企業，在適配器快充、移動快充、車充、電機控制、新能源、逆變、鋰電保護等應用領域均占有領先地位，RUICHIPS致力于新產品研發，持續更新/優化新工藝、新技術，現有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大類產品線、數百種型號，累計獲得國家發明專利18項，尤其是RUICHIPS獨創的TO-220內絕緣封裝技術，徹底解決了終端客戶在散熱和裝配上的技術難點。
MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應管。
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡單，價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。
MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區，作為NMOS的源漏區；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區，作為PMOS的源漏區。兩塊源漏摻雜區之間的距離稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。
PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。
與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處于截止區，其電壓條件是：
VGS
|VGS|>|VTP (PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。
MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規模大的集成電路 [1] 。

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RU75N08R3 TO-220S
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電阻 100歐1206
電阻 2K41206
電容 1041206
鉭電容 10UF/16V3528
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