FP5139

發布時間:2016/6/26 11:51:00 訪問次數:1434 發布企業:深圳市哲瀚電子科技有限公司

描述：

這是一FP5139升壓拓撲結構的開關穩壓器控制IC電池應用領域的應用。FP5139包括圖騰柱單輸出級驅動NPN晶體管或MOS管、

高精度參考（0.5V）比較輸出電壓反饋放大器，用于控制最小工作周期內的死區時間控制，可編程軟啟動和短路保護功能和邏輯

電平控制的操作模式或待機模式。

特點：

寬電源電壓工作范圍：1.8到15V

參考電壓精度：4%

低電流消耗：運行模式的功耗

待機模式1μ一

高速振蕩器頻率：1MHz最大。

可編程軟啟動功能（不銹鋼）

短路保護功能（SCP）

具有可調開/關電流的圖騰柱輸出

（NPN晶體管或N溝道MOSFET）

包裝：SOP8 /TSSOP8 / MSOP8

應用：數碼相機 PDA 便攜式設備

6月23日，Qualcomm宣布其已向北京知識產權法院提交對魅族的起訴狀，請求法院判決Qualcomm向魅族提供的專利許可條件符

合《中華人民共和國反壟斷法》的規定和Qualcomm所承擔的公平、合理和非歧視的許可義務。該起訴狀同時請求法院判決

Qualcomm向魅族提供的專利許可條件，構成Qualcomm與魅族之間針對移動終端中所實施的Qualcomm中國基本專利的專利許可

協議的基礎。前述Qualcomm中國基本專利包括與3G(WCDMA和CDMA2000)及4G(LTE)無線通信標準相關的專利。

為了與魅族達成專利許可協議，Qualcomm始終秉持善意，向魅族發起了多輪交涉，試圖通過誠信談判與其達成協議。Qualcomm

向魅族提供的專利許可協議的內容，與Qualcomm在2015年向中國國家發展和改革委員會提交并得到國家發展和改革委員會同意

的整改方案的條款一致。雖然Qualcomm更希望無需付諸訴訟就能與魅族解決爭議，遺憾的是，魅族始終缺乏通過誠信談判與

Qualcomm在前述整改方案條款的基礎上達成專利許可協議的意愿。與此同時，魅族繼續不公平地利用Qualcomm的創新來拓展

其業務，并拒絕向Qualcomm支付使用其有價值的技術的費用。與此形成鮮明對比的是，目前已有超過100家中國公司接受了上

述整改方案條款，其中包括最大的幾家中國手機廠商。

Qualcomm Incorporated 執行副總裁、總法律顧問唐·羅森博格表示：“Qualcomm的技術是所有移動終端的核心組成部分。魅族

選擇在未獲得許可的情況下使用這些技術，不僅違反法律，而且對那些誠信經營、尊重專利權的被許可廠商更是不公平的，最終