AT89S51是一個低功耗，高性能CMOS8位微控制器，具有在系統可編程Flash存儲器4K字節。該設備是采用Atmel的高密度非易失

性存儲器技術制造，與工業兼容標準的80C51指令集和引腳。片上Flash允許程序存儲器在系統或傳統的非易失性存儲器編程編程。

通過結合通用8位CPU和在系統可編程Flash集成在一個芯片，AT89S51是一個功能強大的微控制器提供了高度靈活的和具有成本效

益的解決方案為許多嵌入式控制應用。

AT89S51提供以下標準功能：4K字節的閃存，128字節RAM，32個I / O線，看門狗定時器，兩個數據指針，兩個16位定時器/計

數器，一五向量兩級中斷結構，一個全雙工串行口，片內振蕩器和時鐘電路。此外，AT89S51設計的靜態邏輯操作到零頻率和支

持兩種軟件可選的節電模式。空閑模式停止了中央處理器，同時允許內存，定時器/計數器，串口和中斷系統繼續運行。掉電模式

保存了內存的帳篷，但凍結振蕩器，禁用所有其他芯片的功能，直到下一個外部中斷或硬件復位。

特征：

•MCS - 51系列產品兼容®

•4K字節的在系統可編程（ISP）閃存–耐力：10000寫/擦除周期

•4.0V至5.5V的操作范圍

•全靜態操作：0 Hz到33 MHz的

•三級程序存儲器鎖定

•128×8位內部RAM

•32可編程I/O線

•兩個16位定時器/計數器

•六個中斷源

•全雙工UART串行通道

•低功耗空閑和掉電模式

•中斷從掉電模式

•看門狗定時器

•雙數據指針

•斷電標志

•快速編程時間

•靈活的ISP編程恢復（字節和頁模式）

•綠色（鉛/無鹵）包裝的選擇

在日前舉辦的“光纖通信50年高峰論壇”上，一篇由浙江大學信息與電子工程學院副教授余輝、浙江大學信息與電子工程學院教授、

博士生導師楊建義合著的文章得到披露。文章表示，當前短距離光互聯主要采用VCSEL技術，隨著傳輸距離超過1公里，以及傳輸

速率超過100Gb/s并逐漸進入Tb/s的范圍，基于單模光纖的硅光子技術在成本、功耗以及帶寬上逐漸顯示出了明顯的優勢。通過

波分復用，硅光子技術可將光互聯的帶寬提升到空前的水平。

正因為如此，世界各國包括學術界和企業界的許多機構均對硅光互聯技術展開了廣泛的研究。不少公司已經或者正在推出相關產

品。目前研究的重點已經從單個硅光器件功能的實現和性能的提高，轉移到硅光工藝平臺（platform）的建設，以及高速收發模

塊（transceiver）的開發。

文章指出，利用CMOS標準工藝線在SOI襯底上制作硅基集成光路，目前手段和技術均已經十分成熟。除激光器暫時還無法以CMOS

兼容的方式進行單片集成，基于硅波導的其他器件，包括無源波導、波分復用器件、調制器、探測器的性能均已經十分成熟。但

是，集成光路與集成電路在襯底材料、特征尺寸、具體制造工藝等方面均存在較大的差異，因此目前光路與電路的集成常常通過

混合集成的方式進行。即光芯片與電芯片在各自的平臺上進行獨立設計與制造，再通過wire-bonding或flip-chip bonding的方式組

裝。

混合集成的優勢是靈活度高，前期工藝成本低，工藝升級方便，并且鍵合技術的進步也在使得其成本和寄生效應不斷降低。但混

合集成的弊端在于光芯片與電芯片之間的鍵合會引起寄生效應，以及昂貴的后期封裝成本。同時，由于整體性能測試只能在光芯

片與電芯片各自解理并最終組裝之后才能進行，大大增加了測試成本。光路與電路的單片集成方案則可解決以上問題，毫無疑問，

光路與電路的高性能低成本單片集成一直代表著硅基光子學發展的終極目標。

目前利用硅光技術進行光收發模塊開發的公司已有十幾家，相關產品在主要技術指標上已經日趨成熟，目前考慮更多是如何降低

成本以提高產品競爭力，滿足市場需求。文章在介紹相關硅光子產品時，并沒有提到一家中國公司，可見國內在硅光子領域的大

大落后。

中國科學院半導體研究所副所長、博士生導師祝寧華也在論壇上表示，盡管中國在光子集成領域已經取得了一些成果，但在光電

子器件制造裝備研發投入分散，沒有建立硅基和InP基光電子體系化研發平臺，芯片流片加工基本都在新加坡、加拿大、荷蘭、中

國臺灣、德國等地進行。

祝寧華指出，光電子器件的核心技術與制備工藝密切相關，在外流片導致973和863核心技術大量流失，我國在高端信息光電子芯

片裝備研發方面缺乏持續系統的投入，導致與國外差距進一步加大。

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