LS7366R是一個32位的CMOS計數器，以直接接口于quadra-TURE時鐘從增量式編碼器。它還與接口從增量式編碼器索引信號來
執行各種標記功能。
用于與微處理器或微控制器通信，它提供了4線SPI / MICROWIRE總線。四個標準總線的I / O有SS / ， SCK ， MISO和MOSI 。
一個微之間的數據傳送控制器和從屬LS7366R是同步的。本的同步灰是通過由微控制器提供的SCK的時鐘進行的。每傳輸被組織
的數據的1至5個字節的塊。一反任務周期是由一個高intitiated到SS /輸入的低轉換。在一個傳輸周期接收到的第一個字節總是
一個指令灰字節，而第二至第五個字節總是解釋為數據字節。傳輸周期終止與低到SS /輸入高電平跳變。接收的字節偏移在該MOSI
輸入， MSB在前，與前緣（高躍遷化的SCK時鐘） 。輸出數據被移出的MISO輸出， MSB在前，與SCK的下降沿（低電平跳變）
時鐘。
讀取和寫入命令不能合并。例如，當裝置被移出讀在MISO輸出數據，它忽略了MOSI輸入，即使在SS /輸入是活動的。 SS /必須
終止并重申設備之前會接受新的命令。
該計數器可以被配置成操作為1，2， 3或4字節計數器。當被配置為n個字節的柜臺， CNTR ， DTR和OTR都config-置的作為n字
節的寄存器，其中n = 1 ，2，3或4 。的指令/數據標識的內容是自動調整，以匹配n字節組態口糧。例如，如果計數器被配置為
2個字節的計數器，指令“寫DTR ”希望下面的指令字節2個字節的數據。如果該計數器被配置為3字節計數器，所述相同的指令將
期待3個字節的數據后續荷蘭國際集團的指令字節。
以下的適當數量的傳送字節的數據傳輸的任何進一步的嘗試將被忽略直到一個新指令周期是通過切換啟動在SS /輸入高后低。
該計數器可以被編程以運行許多不同的方式，與操作特性被寫入到兩個模式注冊MDR0及MDR1 。硬件I / O是提供用于事件驅動的
操作，如處理器中斷和索引相關的功能。
特征：
•工作電壓： 3V至5.5V （VDD- VSS）
• 5V計數頻率： 40MHz的
• 3V計數頻率： 20MHz的
• 32位計數器（ CNTR ） 。
• 32位數據寄存器（ DTR）和比較器。
• 32位輸出寄存器（ OTR ） 。
•兩個8位模式寄存器（ MDR0 ， MDR1 ）可編程功能模式。
•8位指令寄存器（ IR ） 。
•8位狀態寄存器（ STR ） 。
•鎖存中斷輸出的進位或借位，或比較或指數。
•索引驅動的計數器負載，輸出寄存器加載或計數器復位。
•內部時鐘的正交解碼器和過濾器。
• X1，X2或正交計數X4模式。
•非正交加/減計數。
•模-N ，非循環，范圍，限制或計數的自由運行模式
•8位， 16位， 24位和32位可編程配置同步（ SPI）的串行接口
• LS7366R （ DIP ） ， LS7366R -S （ SOIC ） ， LS7366R -TS （ TSSOP ）
SPI / MICROWIRE（串行外設接口） ：
•標準4線連接： MOSI ， MISO ， SS /和SCK 。
•從模式而已。
根據SEMI（國際半導體產業協會）的全球晶圓廠預測(World Fab Forecast)報告指出，2015年晶圓代工業整體產能已超越記憶體，
成為半導體產業當中最大的部門，并且在未來幾年可望持續領先。預料晶圓代工產能每年將成長5%，超越業界整體表現，晶圓
代工產能到2017年底預計將達到每月6百萬片（8寸約當晶圓)。
2015年晶圓代工業整體產能已超越記憶體，成為半導體產業當中最大的部門，并且在未來幾年可望持續領先。
臺灣的晶圓代工產能居全球之冠，其中12寸的產能占全球晶圓代工產能比重55%以上。臺積電與聯電是臺灣晶圓代工產能的兩大
主要推手。臺積電十二廠第七期、十五廠第五及第六期正積極準備迎接10奈米以下制程產能。聯電則持續擴充28奈米產能，十二
A廠第五期也準備投入14奈米制程。
另一方面，晶圓代工產能全球第二的中國則是成長最快的市場。2015年中國整體晶圓代工產能為每月95萬片，預計到了2017年
底將增至每月120萬片，占全球晶圓代工產能將近20%。中國晶圓代工龍頭中芯國際(SMIC)目前正致力提升北京B1廠和上海八廠
（兩者均為12寸廠）等既有廠房的產能。同時該公司也正在提升新成立的北京B2廠（12寸）與深圳十五廠（8寸）產能。中芯的
擴充計畫同時包含了先進的28奈米／40奈米產能，以及技術成熟的8寸晶圓制程。其他擴大產能的業者還包括武漢新芯(XMC)，
旗下A廠產能將持續投入NOR快閃記憶體代工業務；上海華力(Huali)也即將成立第二座晶圓廠，預計明年動工，2018下半年起可
望開始投注產能。
未來幾年，臺灣的晶圓代工業者也將對中國晶圓代工產能有所貢獻。今年稍晚聯電位于廈門的12X廠將開始投產，2017年有力晶
合肥廠，臺積電南京廠則將在2018年上線。這三處廠房全面投產后，將帶來每月至少11萬片（12寸）晶圓的產能。
除了增加產能，先進制程的技術競賽也特別激烈。臺積電、三星(Samsung)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)都想在10奈米以下
技術節點取得領先地位。技術的演進將帶動晶圓代工業者在未來幾年內持續投資，其中又以臺灣與中國為最。
SEMI臺灣區總裁曹世綸表示，“2016年全球半導體產業穩定成長，臺灣半導體產業長成長速度更是優于全球，尤其晶圓代工廠在
制程創新、增加新產能以及設備投資方面都將領先其他廠商，也代表臺灣在全球半導體產業中持續扮演技術與產能的領頭羊角色。”
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