SM7307是一款內部集成功率管的高效的PWM-LED恒流驅動控制芯片。恒流精度可以達到全電壓范圍±3%，芯片直接從DRAIN輸

入電壓供電，不需要輔助繞組提供電源。

SM7307主要適用于高亮的BUCK LED驅動器。無需任何的補償元件，即可實現恒定的輸出電流。外圍元件少，方案成本低，具有

LED輸出開短路保護特性。

特點：

 730V單芯片集成工藝

 寬電壓85Vac~265Vac輸入；
 恒流精度±3%；
 效率高達90%@220Vac以上；
 內置自恢復輸出開短路保護；
 非隔離拓撲結構；
 低成本BUCK驅動方案；
 無需補償元件；
 外圍器件少，BOM成本低；
 封裝形式：SOP8；
應用：
 T8、T5燈管
 LED球泡燈
 LED信號燈和裝飾燈
Samsung Foundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。

三星晶圓代工業務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以

及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。

Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28奈米

FD-SOI嵌入式非揮發性記憶體將分兩階段發展，首先是在2017年底進行嵌入式快閃記憶體(eFlash)的風險生產(risk production)，

嵌入式MRAM (eMRAM)的風險生產則安排在2018年底。

不過Low也指出：「我們雖然會同時提供eFlash與eMRAM (STT-MRAM)技術選項，但預期市場需求會導致最后只剩下一種嵌入式

非揮發性記憶體方案。

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