產品種類: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1000 V
Id-連續漏極電流: 32 A
Rds On-漏源導通電阻: 320 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 6.5 V
Qg-柵極電荷: 225 nC
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
通道模式: Enhancement
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 43 ns
正向跨導 - 最小值: 13 S
高度: 26.16 mm
長度: 19.96 mm
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 960 W
上升時間: 55 ns
系列: IXFK32N100
工廠包裝數量: 25
商標名: Polar, HiPerFET
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Polar Power MOSFET HiPerFET
典型關閉延遲時間: 76 ns
典型接通延遲時間: 50 ns
寬度: 5.13 mm
單位重量: 10 g
