制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導通電阻: 44 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 47.3 nC
最大工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
通道模式: Enhancement
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 35 ns
正向跨導 - 最小值: 21 S
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
上升時間: 35 ns
工廠包裝數量: 50
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 39 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
單位重量: 4 g