AL8805是一個降壓型DC / DC轉換器設計為驅動LED的恒定電流。該器件可驅動多達8個LED ，取決于LED的正向電壓，在系列從6V的電壓源30V 。串聯LED的提供導致相同的LED電流均勻的亮度，并省去了壓載電阻器。

AL8805在切換頻率高達1MHz 。這允許使用小尺寸的外部元件，從而最大限度地減少所需的PCB面積。

AL8805的最大輸出電流是通過一個外部設電阻器，連接在V之間IN并設置輸入引腳。調是通過將任一個直流電壓或一個實現

PWM信號在CTRL輸入引腳。 0.4V的輸入電壓或以下CTRL關閉輸出MOSFET簡化PWM調光。

特點：

•LED驅動電流高達1A

•優于5％的精度

•效率高達98 ％

•工作輸入電壓從6V至30V

•高開關頻率高達1MHz

•PWM / DC輸入的調光控制

•內置輸出開路保護

•SOT25 ：可在“綠色”模塑料（無溴，銻）與無鉛完成/符合RoHS

應用：MR16燈 通用照明燈

典型應用電路

要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場版圖還為時過早…

盡管產量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠是否會采用FD-SOI制程技術，會是其中的重要因素。

獲得英 特爾(Intel)、三星、臺積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出，在約當14奈米節 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。

此外不久前在 上海出席了一場FD-SOI技術會議的Jones指出，FD-SOI具備能透過偏壓(biasing)動態管理功耗的獨特能力;該制程還因為明顯比 FinFET更高的截止頻率(cut-off frequency)，而能為RF帶來更有力的支援：“我們認為智慧型手機應用處理器與數據機晶片會采用12奈米FD-SOI制程，替代10奈米或可能的 7奈米FinFET。

IBS指出，在14奈米節點，FD-SOI的晶圓成本比FinFET低16.8%

Jones 估計，如果該制程只能從Globalfoundries取得，可能產量會成長至占據全球先進節點晶圓代工業務的四分之一;不過：“如果三星在重要時刻加 入，我認為有40~50%的14/16/10奈米節點代工業務可能會由FD-SOI囊括──三星是外卡(wild card)選手。”

中國則是另一個“外卡”選手，特別是一座正在上海興建的新晶圓廠──該座隸屬于上海華力(Hua Li)的晶圓廠(第二座)將可從中國政府取得58億美元的補助;Jones表示，該座晶圓廠還未選擇要采用哪種制程，但：“他們有合理的可能性會選FD-SOI。”

華力現正營運中的12寸晶圓廠每月產能約3萬片;該公司是華虹(Hua Hong)集團的一份子，同屬該集團的還有目前擁有一座8寸晶圓廠的宏力半導體(Grace Semiconductor)。

不 過號稱是中國擁有最先進技術的晶圓代工業者中芯國際(SMIC)，則不太可能會采用FD-SOI制程;Jones表示，該公司將注意力集中在量產 High-K金屬閘極與多晶矽28奈米制程：“他們做的是市場主流正確選擇。”然而他也認為，中國嘗試于復雜的FinFET制程與臺積電競爭，恐怕仍會落 后一大段距離;臺積電已經有500位工程師專注于實現FinFET設計。

整體看來，要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場版圖還為時過早;Jones所能估計的是FD-SOI技術整體有效市場(total available market)，并非市占率。

FD-SOI制程在2017年估計有170億美元的有效市場，但還不確定實際上能產生多少營收

現有的22奈米FD-SOI晶圓出貨量估計在每月6萬~10萬片，整體28奈米制程晶圓出貨量則為30萬片;Jones表示，Globalfoundries預期在2019年以前不會與客戶展開在12奈米FD-SOI制程上的合作：“他們應該嘗試加快速度。”

而IBS預期，各種不同類型的28奈米制程仍會是市場最大宗，估計到2025年都會維持每月30萬片晶圓的產量;在Jones出席的上海會議中，有一位三星高層展示了一張投影片，表示該公司認為28奈米會維持比其他節點都低的單電晶體成本。

長期看來，各種型態的28奈米平面電晶體制程仍會是市場主流

也就是說，FinFET制程還有很大的成長潛力;據說蘋果(Apple)是采用臺積電的16FF+制程生產iPhone 7之A10處理器，預期將會繼續采用臺積電的10奈米FinFET制程，生產可能會在明年開始量產iPhone 8使用的A11處理器。

Jones表示：“Apple積極推動明年以10奈米制程生產晶片，以及后年的7奈米制程;而臺積電也積極投入資本支出趕上進度──也許還是會延遲一季或兩季，但會實現量產。”

IBS 估計，FinFET制程的每邏輯閘成本因為其復雜性與較低良率，可能在每個節點都會略微上升;不過Jones表示，對此英特爾有不同的觀點，表示該公司認 為每個節點的電晶體成本會持續下降：“這需要達到固定良率(constant yields)，這是個優良目標但不容易達成，我不知道英特爾的14奈米節點是否已經達到該目標。”

至于臺積電則不太可能會采用FD- SOI技術，但Jones認為該公司絕對會對該制程帶來的競爭壓力做出回應：“他們或許得積極推動7奈米制程，并提供結合RF、嵌入式非揮發性記憶體，以 及另外采用其昂貴但表現優異的InFlo技術制造的I/O功能區塊的多晶片解決方案。”

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