CL6807是一款高側電流感應的高亮度LED驅動控制器，設計運用于高效驅動由高于LED正向導通電壓的電源供電的單個或多個串聯LED。該裝置的運作是在6V到35V之間，提供了一個外部可調的高達1A的輸出電流。根據電力供應的電壓和外部元件，可以提供高達25瓦的輸出功率。

CL6807包括輸出開關和一個高側的輸出電流傳感電路, 可利用外部電阻器來設定的平均輸出電流或由精心設計的直流電壓或PWM信號來加載ADJ腳來調節輸出電流。在ADJ腳上加低于0.5V的電壓將關斷輸出電流和開關動作，使該芯片進入低功耗待機狀態。CL6807的封裝為SOT89-5。

特點：

◆ 極少的外圍器件數

◆ 寬輸入電壓范圍：6V至35V

◆ 高達1A的輸出電流

◆ 開關控制及亮度的直流電壓控制和PWM控制由單腳實現

◆ 輸出電流準確性可達±5％

◆ 內建的LED開路保護

◆高達95%的效率

◆高測電流感應

◆遲滯控制，無需補償

應用：

◆LED替換低壓鹵素燈應用

◆汽車照明

◆ 低壓照明工業

◆ LED后備照明

◆ 發亮標志

◆ 緊急照明系統

◆ 液晶電視背光

據外媒報道，韓國警方近日逮捕了三星System LSI部門的一位李姓高管，原因是他將該公司的半導體技術機密(三星14nm、10nm工藝)賣給了某中國公司，而對方是三星電子的直接競爭對手(具體是誰未公開)。

傳言稱，14nm工藝非常卓越，GF、AMD等著名廠商對其非常依賴。掌握了這項工藝，甚至更先進的10nm工藝，也就掌握了未來芯片行業的話語權。

14/10nm究竟是什么?

這還得從處理器的基本組成說起。一般來說，一顆微處理器是由不同材料制成的許多“層”堆疊起來的電路，里面包含了晶體管、電阻器、以及電容器等微小元件。這些微小元件用肉眼很難看清楚，因為它們的尺寸非常之小，并且數量之多，密集的讓人難以想象。

這些小元件整齊的排列在一塊“板子”上，它們相互之間都有縫隙，這個縫隙實質就是元件與元件之間的距離，這個距離一般用毫微米進行衡量。后來納米概念誕生后，就一直沿用“納米”(nanometers)來描述這個距離。

也就是說，14/10nm其實就是芯片上元件間的間距，這個間距越小，排列在芯片上的元件就越多。這意味著性能更加強大，能效表現更為優異。

這也是英特爾、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。

14nm的誕生

在2014年，當大部分廠商還在研究22nm的FinFET工藝時，英特爾已經推進到了14nm工藝。在芯片行業的推進上，英特爾可以說是獨步天下。

從2007年的45nm工藝，到2009年的32nm工藝，到2011年的22nm工藝，再到2014年的14nm工藝，無與倫比的先進制造工藝，讓全球廠商為之眼紅。

然而，看似風光的英特爾，在推進過程中也遇到不少難題。據英特爾稱，他們本該2013年底時就會推出14nm的測試芯片，并于2014年開始量產，但實際比原推進計劃晚了幾個季度。由于14nm工藝良品率初期低得要命，直到2014年第二季度末才達到量產標準。

三星的14nm工藝

在2014年底，也就是英特爾的14nm工藝推出沒幾個月，三星就直接宣布進入14nm工藝。

這前所未有的舉動在業界瞬間轟動了起來，甚至連英特爾都坐不住了。要知道，在這之前，英特爾的制造工藝在業內是處于絕對領先的地位的。

三星此舉讓同為競爭對手的臺積電也自愧不如，但隨后又爆出猛料，稱該公司前員工加入三星后，將TSMC自家的28nm工藝泄露給了三星，這對于三星14nm工藝進度起了至關重要的作用。

這樣說也無可厚非，畢竟三星可是跳過了20nm，直接進入了14nm工藝，并且據臺積電稱，三星的14nm工藝帶有臺積電的技術特性。

看來，三星的14nm工藝并不純正。

除此之外，臺積電高管還爆料，最早采用FinFET的16納米工藝，原本計劃跟隨英特爾，稱為20納米FinFET。因為該工藝的電晶體最小線寬(half-pitch)與量產的前一代20納米傳統電晶體工藝差不多，只是換上全新的FinFET電晶體。然而，三星搶先命名為“14nm”!也就是說，三星的出現，擾亂了市場的命名的慣例。

10nm

在14nm上逐漸趕上英特爾的三星，在10nm的研究上，幾乎和強大的競爭對手英特爾站在了同一起跑線上。

然而，10nm的研究，似乎并不順利。

按照英特爾的計劃，10nm預計在2015年就能推出，由于14nm工藝的跳票，打亂了時間節點，并且10nm的研究中可能遇到了不小的難題。

目前，英特爾10nm工藝已經開始試產，并且表示將在2017年上半年量產10nm，在下半年發布10nm產品。

反觀三星，雖然在去年展示了10nm的晶圓，并表示將在2017年量產10nm工藝。但是到目前為止，幾乎沒什么動靜。

與三星同為競爭對手的臺積電卻是非常高調，宣布將在今年底開始量產10nm。這一點也是可以理解，畢竟與三星同為晶圓代工，誰先勝出，誰就能得到更多的代工業務。

不過，有專業人士透露，臺積電的十六納米等于英特爾的二十納米、十納米等于英特爾的十二納米……在這一方面，臺積電也是積極承認。

納米工藝的進步，使得我們在同樣大小的芯片上，能夠感受更強大的性能;在運行速度更快的同時，也更加省電;這些更小的晶體元件，只需要更低的導通電壓，能效也會隨之提升;最為重要的是，組件越小，同一片晶圓可切割出來的芯片就可以更多。即使更小的工藝需要更昂貴的設備，其投資成本也可以被更多的晶片所抵消。

未來，7nm，5nm甚至更小的納米制造工藝也會相繼出現，雖然有專家分析，目前10nm工藝或許將成為硅材料晶體管的物理極限。但英特爾等廠商不會停止不前，因為，他們對于“極限”的追求是永無止境的。

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