品牌：VISHAY
封裝： PPAK SO-8
數量：4000 PCS
批號：2016+
說明：3000/盤,全新原裝正品，公司長期特價銷售，品質保證，支持原廠訂貨！詳情面議
聯系人： 李先生
手 機： 15012764936
直 線： 0755-82785381 82781578
業務QQ 1049720034 / 872633911
產品參數：
產品種類: MOSFET
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
通道數量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 12 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 12 V
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
通道模式: Enhancement
商標: Vishay Semiconductors
配置: Dual Dual Drain
下降時間: 25 ns
正向跨導 - 最小值: 100 S
高度: 1.04 mm
長度: 4.9 mm
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 3.5 W
上升時間: 15 ns
系列: SI7
工廠包裝數量: 3000
商標名: TrenchFET
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 90 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
寬度: 5.89 mm
零件號別名: SI7234DP-GE3
單位重量: 506.600 mg
