JW1232用于驅動60V單串LED，通過VC端電容消除前級驅動器產生的 100/120Hz 電流紋波。
JW1232允許用戶通過VLMT端對GND端的電阻來設置LED 端電壓的最大值。如果 LED端電壓高于所設置的電壓閾值，電流紋波消除功能將停止工作，保持 LED 端電壓不超過所設置的最大值，以限制消耗在JW1232上的功率。當
需要大電流應用時，可以將多顆JW1232的VC端短路，使JW1232并聯工作，每顆JW1232之間的電流誤差不超過±1%.
JW1232內部限制最大LED電流為 440mA。
JW1232內置溫度保護功能。

◆ 自適應100/120Hz電流紋波消除芯片
◆ 輸入電壓5V~60V
◆ 內置LED驅動MOSFET
◆ LED電流0.25A時，LED端電壓低至0.65V
◆ 可調整LED電流紋波幅度
◆ 可設置LED端電壓最大值
◆ LED開路/短路保護、過溫保護
◆ 高PF, 低THD ◆ TO252-5封裝
◆ 保護功能強大，內置過溫過壓保護，開路短路等；
◆ 支持熱插拔功能，有效保護LED驅動電源，延長LED燈具壽命；
◆ 外圍線路非常簡單，設計靈活，節省開發成本；
◆ 可通過3C、UL、CE、TUV等認證標準。

主要應用于：LED電源，LED射燈電源，LED筒燈電源LED，LED燈管，LED堵頭電源，LED面板燈電源

高通明年主打的旗艦芯片驍龍830(產品代號為MSM8998)由三星操刀代工，但至今送樣仍少，市場傳出主因產品進度不順，高通后續訂單可能轉回臺積電，為臺積電明年再新增一家10nm重量級客戶，挹注營運動能。

過去高通的最高階旗艦手機芯片主要都由臺積電代工生產，但前年由臺積電制造的驍龍810出現過熱問題，一度遭點名恐對今年各家手機品牌廠旗艦機銷售帶來影響。

加上三星去年的旗艦手機Galaxy S6不用高通驍龍810芯片，轉用自家芯片，高通再將今年主推的驍龍820轉單至三星以14nm制程生產，因而再度拿下三星今年旗艦機種Galaxy S7訂單，高通明年主推的驍龍830則持續由三星以10nm制程生產。

由于高通的驍龍8系列手機芯片一向是三星、宏達電、華碩 、小米、索尼(SONY)、LG等手機品牌廠最高階旗艦機種的首選，就進度來看，驍龍830應該于第4季陸續向客戶端送樣 ，以便趕上明年第一波新機上市。

高通CEO莫蘭科夫(Steve Mollenkopf)曾于7月下旬的法說會上，回應外資詢問10nm產品何時設計定案(Type out)和對客戶送樣時表示，高通10nm產品已經準備設計定案，并向客戶端送樣。

只不過，截至目前為止，取得高通驍龍830樣品的手機客戶端家數仍少，因此市場傳出驍龍830的進度可能延誤。

由于送樣芯片數量仍少，外界曝光的高通的驍龍830芯片資訊也不多，目前僅知搭配了4GB內存存儲器和高達64GB的UFS快閃存儲器。

驍龍830是由三星以10nm制程生產，在進度不順的情況下，市場傳出，高通可能會將后續訂單轉至臺積電生產，比外界預期7nm才會轉回臺積電的進度再早一點。

若高通高階旗艦芯片訂單轉回由臺積電生產，將使得臺積電明年新增一家重量級10nm客戶，有利于明年的營運動能。

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