SI7489DP-T1-GE3
品牌:VISHAY
封裝:SON8
數量:3000 PCS
批號:1625+
說明:3000/盤,全新原裝正品,公司長期特價銷售,品質保證,支持原廠訂貨!詳情面議
聯系人: 李先生
手 機: 15012764936
直 線: 0755-82785381 82781578
業務Q 1049720034
產品參數:
產品種類: MOSFET
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: - 100 V
Id-連續漏極電流: 7.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 41 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
通道模式: Enhancement
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 100 ns
高度: 1.04 mm
長度: 4.9 mm
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 5.2 W
上升時間: 20 ns, 160 ns
系列: SI7
工廠包裝數量: 3000
商標名: TrenchFET
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 110 ns, 100 ns
典型接通延遲時間: 15 ns, 42 ns
寬度: 5.89 mm
零件號別名: SI7489DP-GE3
單位重量: 506.600 mg