深圳中意法電子科技有限公司

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產品概覽 Digi-Key 零件編號 IPB025N10N3 GTR-ND
現有數量 16,000
可立即發貨

制造商 Infineon Technologies
制造商零件編號 IPB025N10N3 G
描述 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 12 周
文檔與媒體 數據列表 IPB025N10N3 G

產品屬性 選取全部項目
類別 分立半導體產品
家庭 晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 180A（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 2.5 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 275μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） 206nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） 14800pF @ 50V
功率 - 最大值 300W
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB
供應商器件封裝 PG-TO263-7