DRV8870 是一款刷式直流電機驅動器，適用于打印機、電器、工業設備以及其他小型機器。 兩個邏輯輸入控制 H 橋驅動器，該

驅動器由四個 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 組成，能夠以高達 3.6A 的峰值電流雙向控制電機。 利用電流

衰減模式，可通過對輸入進行脈寬調制 (PWM) 來控制電機轉速。 如果將兩個輸入均置為低電平，則電機驅動器將進入低功耗休

眠模式。

DRV8870 具有集成電流調節功能，該功能基于模擬輸入 VREF 以及 ISEN 引腳的電壓（與流經外部感測電阻的電機電流成正比）

。 該器件能夠將電流限制在某一已知水平，這可顯著降低系統功耗要求，并且無需大容量電容來維持穩定電壓，尤其是在電機啟

動和停轉時。

器件針對故障和短路問題提供了全面保護，包括欠壓鎖定 (UVLO)、過流保護 (OCP) 和過熱保護 (TSD)。 故障排除后，器件會

自動恢復正常工作。

特點：

獨立的 H 橋電機

。驅動一個直流電機、一個步進電機的繞組或其他負載

6.5V 至 45V 寬工作電壓范圍

565mΩ（典型值）RDS(on) (HS + LS)

3.6A 峰值電流驅動能力

脈寬調制 (PWM) 控制接口

集成電流調節功能

低功耗休眠模式

小型封裝尺寸

。8 引腳 HSOP 封裝，帶有 PowerPAD

。4.9mm × 6.0mm

集成保護特性

。VM 欠壓閉鎖 (UVLO)

。過流保護 (OCP)

。熱關斷 (TSD)

。自動故障恢復

應用：

打印機

電器

工業設備

其他機電一體化應用

手機晶片10奈米大戰正式開打!手機晶片龍頭高通(Qualcomm)搶在美國消費性電子展(CES)前發表10奈米Snapdragon 835手機晶片，采用三星10奈米制程生產。聯發科交由臺積電10奈米代工的Helio X30也已進入量產階段，明年上半年將再推出Helio X35搶市，至于華為旗下海思半導體Kirin 970也將在明年采用臺積電10奈米量產。

高通宣布子公司高通技術公司發表新一代Snapdragon 835手機晶片，雖然大部份細節規格都還沒正式公布，但說明將支援最新的Quick Charge 4快充技術，進行5分鐘充電后，將手機使用時間延長至5小時以上，且Quick Charge 4支援 Type-C連接埠和通用匯流排電力傳輸(USB-PD)，可廣泛的適用于各種連接線和轉接器之上。

聯發科早在10月初就說明了新一代10奈米Helio X30手機晶片部份細節。聯發科Helio X30手機晶片是10核心架構，確認將采用2+4+4的三叢集運算架構，包括運算時脈高達2.8GHz二核心ARM Cortex-A73、搭配運算時脈達2.2GHz的四核心ARM Cortex-A53、以及運算時脈達2.0GHz的四核心 ARM Cortex-A35。與上一代十核心Helio X20手機晶片相較，運算效能可提升43%，功耗上則可節省58%。

聯發科Helio X30已經在第四季將率先進入量產投片階段，采用臺積電10奈米制投片，策略上就是希望藉由臺積電在晶圓代工市場的技術領先優勢來打造Helio X30，以對抗采用三星10奈米生產的高通Snapdragon 835。同時，聯發科新一代Helio X30手機晶片支援LTE Cat.10規格，并且是全球全模的手機晶片，預期明年第一季將可順利出貨，明年上半年還會再推出支援Cat.12的10奈米Helio X35搶市。

華為旗下海思半導體已經加快10奈米微縮速度，業界預期，明年上半年將會推出首款采用臺積電10奈米生產的Kirin 970手機晶片，雖然架構上可能仍是8核心，但在數據機上會率先支援Cat.12的全球全模規格。

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