INV1221配合外置 MOSFET， 用于驅動單串 LED 燈珠，通過 VC 端電容消除前級驅動器產生的 100/120 Hz 電流紋波。

自適應的電流調整可以保證 IC 去紋波同時功耗達到最低。

INV1221 將供電輸入端 VIN 電壓鉗位在 30V 左右，當供電電壓超過 31V 時，需在 VIN 端子串聯電阻。 INV1221 允許用戶通過調整采樣電阻阻值來靈活調整 LED 峰值電流，從而避免了短路或者熱插拔時對于 MOSFET 和 LED 燈珠的損害。 INV1221 通過采樣 MOSFET 漏端和 VLMT 端子之間的串聯電阻來設置 LED 負端電壓的最大值，用于限制系統功耗損失。 當 LED 負端電壓超過短路檢測門限值并維持超過 60us， IC 判斷 LED 短路并關斷 MOSFET。 INV1221 維持 MOSFET 關斷狀態13ms，之后自動退出該狀態。

同時 INV1221 也提供過溫保護，當 IC 溫度超過 135℃，過溫保護將啟動。 IC 關閉 MOSFET并維持關閉狀態直至溫度低于

110℃。

INV1221的特點：

• 自適應100/120Hz電流紋波消除芯片

• 輸入端內置鉗位穩壓管

• VG輸出電壓達10V

• LED電流紋波幅度可調s

• LED負端電壓幅度可調

• LED峰值電流可調

• 短路保護

• 熱插拔保護

• 過溫保護

• SOT23-6L 封裝

南韓兩大半導體廠Samsung與SK Hynix共組半導體希望基金，資金規模約2000億韓元（約55億元新臺幣），顯示南韓亟欲凸顯且擴大其在全球記憶體市場的競爭力與影響力。

不過半導體希望基金規模不大，預期重點不在建置新廠、擴張產能，而是鎖定技術研發，特別是DRAM、NAND Flash、行動記憶體、新興記憶體等產品的研發。

南韓半導體國家隊的成軍，主要是反映大陸記憶體即將崛起的壓力。記憶體行業已成為大陸官方投資的重要方向，企圖實現從無到有的局面。大陸記憶體產業奠定在當地需求快速增長的基礎，以NAND Flash來說，由于行動裝置需求的快速增長及伺服器、資料中心的大量建置，大陸市場NAND Flash消耗量占全球的比重將于2017年達3成以上，2020年將超過4成。

預料大陸記憶體市場當前發展的4大主力，將由長江存儲（負責3D NAND Flash、DRAM生產）、武漢新芯（負責NOR Flash、邏輯代工）擔綱重任，而福建晉華存儲器項目、合肥市存儲器項目也將有所發揮。

在國家積體電路大基金的牽線下，2016年7月紫光集團宣布收購武漢新芯50%以上股權，成立長江存儲技術公司，此舉將可避免重復投資，實現各方優勢資源共享；而2016年底長江存儲將興建首座12寸廠，在Spansion技術授權下，最快2017年底生產自制32層堆疊3D NAND晶片，大陸終將順利擠進NAND Flash領域。

而長江存儲技術公司在DRAM領域的布局，則端視未來Mciron再整并完華亞科之后，是否與紫光建立策略聯盟，雙方將針對DRAM技術及產能進行合作；另外武漢新芯未來將專職NOR Flash和邏輯代工業務，旗下12寸廠月產能約3萬片，其中有超過2萬片是生產NOR Flash晶片。

福建晉華存儲器項目則是由晉華投資370億元人民幣建設存儲晶片晶圓廠，并由聯電提供技術方案，預計2018年9月形成月產6萬片12寸先進制程內存晶圓的生產規模。而合肥市存儲器項目，將由合肥市政府出資460億元人民幣，兆基科技提供技術方案，第一步是設計物聯網科技所需的低耗電DRAM晶片，最快2017年下半年開始投產。

大陸記憶體是集成電路4大產品類型中自給率最低的部分，預期大陸記憶體市場的進口替代空間龐大，而未來對岸記憶體勢力的崛起，勢必將改寫全球記憶體版圖的分布，讓目前掌握絕大市占率的韓廠備感威脅。

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