深圳中意法電子科技有限公司
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IRFB3607PBF Infineon Technologies | IRFB3607PBF-ND DigiKey Electronics" title="IRFB3607PBF Infineon Technologies | IRFB3607PBF-ND DigiKey Electronics" style="border:1px solid #999999;" />
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制造商 Infineon Technologies
制造商零件編號 IRFB3607PBF
描述 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 8 周
文檔與媒體 數據列表 IRF(B,S,SL)3607PBF
產品培訓模塊 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 組件/產地 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Qualification Wafer Source 14/Mar/2014
TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016
PCN 封裝 Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
產品目錄頁面 1518 (CN2011-ZH PDF)
產品屬性 選取全部項目
類別 分立半導體產品
家庭 晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝
管件
零件狀態 在售
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓（Vdss） 75V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 80A（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 9 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） 84nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） 3070pF @ 50V
功率 - 最大值 140W
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應商器件封裝 TO-220AB
