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STW34N65M5

發布時間:2016/12/13 10:04:00 訪問次數:349

一般信息 數據列表 STB,I,P,W34N65M5;

標準包裝 30
包裝 管件
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 MDmesh™ V
其它名稱 497-13123-5



規格 FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET (Metal Oxide)
漏源極電壓(Vdss) 650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 28A(Tc)
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 110 毫歐 @ 14A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg) 62.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2700pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 190W (Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應商器件封裝 TO-247

公司名:深圳市中意法電子科技有限公司

聯系人:彭文

QQ:2853522053

電話:0755-83267375/18164100342

郵箱:2853522053@qq.com

地址:深圳市福田區振華路118號華麗大院1棟西座408

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