Power Management Guide;
SCT50N120;
標準包裝
30
包裝
管件
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 -
其它名稱 497-16598-5
規格 FET 類型 N 溝道
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
漏源極電壓（Vdss） 1200V（1.2kV）
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 65A（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 69 毫歐 @ 40A，20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） *
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） 1900pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） *
工作溫度 -55°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應商器件封裝 HiP247™
公司名：深圳市中意法電子科技有限公司
聯系人：彭文
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電話：0755-83267375/18164100342
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