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STP28N60DM2

發布時間:2016/12/22 9:22:00 訪問次數:413

一般信息 數據列表 ST(B,P,W)28N60DM2;

標準包裝 50
包裝 管件
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 MDmesh™ DM2
其它名稱 497-16348-5



規格 FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET (Metal Oxide)
漏源極電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 21A(Tc)
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 160 毫歐 @ 10.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg) 34nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1500pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應商器件封裝 TO-220

公司名:深圳市中意法電子科技有限公司

聯系人:彭文

QQ:2853522053

電話:0755-83267375/18164100342

郵箱:2853522053@qq.com

地址:深圳市福田區振華路118號華麗大院1棟西座408

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