品牌：INFINEON
參數說明：
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7.2A（Ta），40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 43μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
17nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 50V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
25.2 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
PG-TDSON-8
封裝/外殼
8-PowerTDFN
深圳市中意法電子科技有限公司
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