品牌： Infineon Technologies
參數說明：
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.2A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
85pF @ 25V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
540mW（Ta）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
250 毫歐 @ 910mA，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
Micro3™/SOT-23
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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