應用圖文簡介1 3、應用選擇資料2 4、應用選擇資料3
5、FUJITSU/EUDYNA公司詳細產品資料目錄手冊/應用資料下載
FUJITSU富士通已經與SUMITOMO住友電氣工業達成成立一間專注于化合物半導體業務的合資企業優迪那半導體有限公司EUDYNA的決議。 這份決議將整和以及鞏固富士通旗下的全資子公司富士通量子器件株式會社與住友電氣工業兩家公司的化合物半導體電子器件業務。富士通與住友電氣工業將各占這間合資企業50％的股份。
這間新的合資公司優迪那半導體有限公司將專注于研究開發, 制造和銷售覆蓋各種用途的化合物半導體器件, 并致力于成長為這個領域科技發展的領導者, 以迅速地建立全球客戶的信任.
Optical Semiconductors
激光二極管模塊
光電二極管探測器與光接收器模塊
光收發器模塊
可視激光二極管
微波器件
Sumitomo 住友電氣工業設計、生產并銷售基于GaAs技術制成的組件、集成電路和模塊產品。電子設備部門（EDD）專注于Ⅲ－Ⅳ組件產業，供應先進和優良的產品，用于光纖通訊系統的前端模擬電路，并可提供給客戶多樣化的標準產品。現今，本公司已可提供10Gb/s SONET/SDH/ATM的豐富產品系列；而基于InP的40Gb/s IC也在迅速發展中，很快也將被列入我們的產品系列之中。本公司生產無線及光纖產品，以及專注于包含了epitaxial water process技術的行動／無線基站經營，顧客可選擇采用以離子注入（Ion-implantation）及Epitaxial組件技術為本的多種GaAs MESFET 制作法.
光纖產品GaAs IC
F01 Series 前置放大器IC
F03 Series 限制放大器IC
F05 Series LD驅動IC
F06 Series LED驅動IC
F08 Series PD/APD前置放大器模
無線產品GaAs IC
P01 Series 中等功率FET
P04 Series PDC/GSM/AMPS基站/推進器
P05 Series PHS基站
P06 Series CDMA/PCS基站
--通用砷化鎵場效應晶體管(FET)芯片
--低噪音高電子遷移率晶體管(HEMT)芯片
超低噪音已封裝HEMT
--超低噪音已封裝高電子遷移率晶體管(HEMT)
分立砷化鎵FET
--通用砷化鎵場效應晶體管(FET)
--移動通信用L波段高功率砷化鎵場效應晶體管(FET)
--通用功率砷化鎵場效應晶體管(FET)芯片
內部匹配型功率FET
--低失真內部匹配型砷化鎵場效應晶體管(FET)
砷化鎵MMIC
--移動通信用單片微波集成電路(MMIC)驅動放大器
--14GHz波段VSAT用單片微波集成電路(MMIC)功率放大器
--準毫米波單片微波集成電路(MMIC)
--直播衛星(DBS)用單片微波集成電路(MMIC)
--砷化鎵微波分頻器(Prescalar)集成電路
GaAs FET Chips and HEMT Chips
GaAs FET Chips for General Purpose Applications
Part Number Output Power at 1dB G.C.P
P 1dB (typ)
(dBm) Power Gain at 1dB G.C.P
G 1dB (typ)
(dB) Power-added Efficiency
η add (typ)
(%) frequency
f
(GHz) Drain Source Voltage
V DS
(V) Drain Source Current
I DS
(mA) Chip Type Frequency Band
FLC087XP 28.5 7.0 31.5 8.0 10 180 XP C
FLC157XP 31.5 6.0 29.5 8.0 10 360 XP
FLC307XP 34.8 9.5 37.0 4.0 10 720 XP
FSX017X 21.5 11.0 42.0 8.0 8 38 X X
FSX027X 24.5 10.0 41.0 8.0 8 77 X
FLX257XV 33.5 7.5 31.0 10.0 10 600 XV
FLK017XP 20.5 8.0 26.0 14.5 10 36 XP Ku
